Плазменное травление
Cтраница 3
 |
Зависимость размеров элементов микрорельефа от его толщины для не. [31] |
Его широкому использованию препятствует низкий коэффициент контрастности ( у 1 0), причиной чего является цепной характер сшивания, а термическая стабильность рельефа ( Тс полимера 78 С) и стойкость к плазменному травлению у резиста удовлетворительные. [32]
Несмотря на широкое применение, ПММА обладает недостаточной светочувствительностью ( 0 6 - 0 9 Дж / см2), низкой адгезией к подложке, малой стойкостью к термическим деформациям, низкой стабильностью при плазменном травлении подложек. Оказалось, что содержащие грег-бутильные группы бензол, бензойная кислота, фенол, гидрохинон при содержании до 10 % ( масс.) 4-кратно повышают относительную светочувствительность ПММА. При этом удается достичь разрешения до 0 5 мкм при толщине слоя 0 5 мкм. [33]
Несмотря на широкое применение, ПММА обладает недостаточной светочувствительностью ( 0 6 - 0 9 Дж / см2), низкой адгезией к подложке, малой стойкостью к термическим деформациям, низкой стабильностью при плазменном травлении подложек. Оказалось, что содержащие грет-бутильные группы бензол, бензойная кислота, фенол, гидрохинон при содержании до 10 % ( масс.) 4-кратно повышают относительную светочувствительность ПММА. При этом удается достичь разрешения до 0 5 мкм при толщине слоя 0 5 мкм. Одновременно повышается стойкость слоя и к травлению плазмой CF4 - O2, по-видимому, вследствие сохранения сенсибилизатора в проявленном слое. [34]
Его широкому использованию препятствует низкий коэффициент контрастности ( у sg: 1 0), причиной чего является цепной характер сшивания, а термическая стабильность рельефа ( Тс полимера 78 С) и стойкость к плазменному травлению у резиста удовлетворительные. [35]
Обычное мокрое травление имеет изотропный характер и в случае субмикронных структур не позволяет сохранить размеры изображения в допустимых пределах. Сухое плазменное травление дает возможность проводить травление подложки анизотропно и с высокой точностью. Обработка плазмой используется для проявления скрытого изображения ( сухие резисты, см, раздел VI. [36]
Обычное мокрое травление имеет изотропный характер и в случае субмикронных структур не позволяет сохранить размеры изображения в допустимых пределах. Сухое плазменное травление дает возможность проводить травление подложки анизотропно и с высокой точностью. Обработка плазмой используется для проявления скрытого изображения ( сухие резисты, см. раздел VI. [37]
Перед доотверждением желательно устранить возможную вуаль и провести коррекцию формы краев рельефа, прежде всего у рельефов на основе негативных резистов. Целесообразно использовать несильное плазменное травление, которое хотя и удаляет слой толщиной около 10 нм на всей поверхности, но не оказывает влияния на функционирование резиста при травлении. [38]
Разработаны системы химически реактивного плазменного травления, эффективного для кремния, диоксида кремния, нитрида кремния, алюминия, тантала, танталовых соединений, хрома, вольфрама, золота и стекла. Применяются два типа реакторных систем плазменного травления: бочкообразная, или цилиндрическая, система и система с параллельными пластинами, или планарная. [39]
 |
Многоуровневая разводка в БГИС. [40] |
В первом случае для повышения технических характеристик КМДП приборов две кремниевые пластины с МДП-транзисторами изготавливаются обычными методами независимо друг от друга. Затем их лицевые поверхности сглаживают, обрабатывают плазменным травлением и через полиимидные наклеенные пленки с отверстиями устанавливают навстречу друг к другу. Такие конструкции превосходят обычные не только по плотности упаковки элементов ( в 2 раза), но и защищены толстыми кремниевыми подложками от проникающей радиации. [41]
С, а поэтому весьма подходит для экспонирования на кремниевых подложках. При этом достигаются разрешение 0 2 мкм и хорошая стойкость при плазменном травлении. Кл / см2; рекомендованы сополимеры метил-метакрилата и метил-2 - бромакрилата [ 119; пат. [42]
На этой стадии проводится термообработка структуры в среде при температуре 800 С в течение 20 мин, что приводит к активизации примесей в областях п и п - типа проводимости. Далее методом реактивного ионно-лучевого травления производится удаление слоя Si02, затем в установке плазменного травления баррельного типа удаляется слой SiN и, таким образом, на участках истока и стока вскрываются окна. [43]
Удаление поверхностного слоя материала в этом процессе происходит за счет химического взаимодействия между ионами и радикалами активного газа ( пара) и атомами обрабатываемого материала с образованием летучих соединений. В зависимости от среды, в которой находятся образцы, плазмохимическое травление подразделяют на плазменное травление, когда образцы непосредственно находятся в плазме химически активных газов, и радикальное травление, когда образцы находятся в вакуумной камере, отделенной от газоразрядной химически активной плазмы перфорированными металлическими экранами или магнитными и электрическими полями. Травление осуществляется нейтральными химически активными атомами или радикалами, поступающими из газоразрядной плазмы. [44]
Вакуумно-плазменные методы травления [16.5] широко применяются в производстве интегральных схем, так как позволяют получить элементы шириной 0 3 - 0 7 мкм с минимальным искажением формы и размеров. По физико-механическому механизму воздействия на материал они разделяются на ионное травление, ионно-химическое травление и плазменное травление. [45]
Страницы: 1 2 3 4