Ионное травление

Cтраница 1

H. 3. Зависимость интенсивности / рентгеноэлек-тронных линий. [1]

Ионное травление изменяет относительное содержание элементов на поверхности образца. Наибольшее влияние на получаемые при анализе профили оказывают шероховатость поверхности после травления и эффекты выбивания и распыления. Определение истинного распределения концентраций по глубине - задача трудно решаемая. Как и большинство обратных задач физических методов, она относится к некорректно поставленным задачам и требует привлечения некоторой априорной информации о зависимости концентраций от глубины, а также повышения устойчивости решения по отношению к экспериментальным ошибкам с помощью ре-гуляризующих алгоритмов. [2]

Ионное травление применимо к любым минералогическим объектам. [3]

Ионное травление - основано на удалении вещества с поверхности кристалла под действием ионной бомбардировки. При этом вытравливаются в первую очередь атомы с участков с нарушенными или ослабленными связями. [4]

Ионное травление происходит на кристалле, служащем катодом, в тлеющем разряде в вакууме. Удаление вещества с поверхности осуществляется за счет энергии бомбардирующих ионов, например ионов аргона. В первую очередь вытравляются участки с нарушенными или ослабленными связями. [5]

Структуры чугуна, выявленные специальными методами. а - ликвация Si, травление пикратом натрия ( X 100.. б - шаровидное включение графита, выявленное ионным травлением ( X 1000. в - узор на поверхности аустенитного чугуна, создаваемый при наложении магнитной. [6]

Ионное травление значительно расширяет возможности исследования структуры чугуна и, главным образом, тонкого строения включений графита. Поверхность образца, являющегося катодом, бомбардируется положительными ионами; в результате с травимой поверхности удаляются отдельные атомы, ионы или их комплексы. Это происходит гфежде всего в участках, где атомы вещества имеют наименее прочную связь с кристаллической решеткой. Известно, что кристаллическая решетка графита обеспечивает значительную анизотропию его свойств по различным кристаллографическим направлениям. [7]

Ионное травление практически не обладает избирательностью. Поэтому несмотря на максимальную анизотропию использовать его для локального травления затруднительно. Ионное травление применяется в основном для очистки поверхности от загрязнений. Плазмохимическое травление производится при давлении порядка 500 Па в плазме высокочастотного газового разряда. На поверхность пластин попадают ионы с малыми энергиями ( 100 эВ) и нейтральные химически активные атомы и молекулы. [9]

Ионное травление - удаление материала подложки с участков, не защищенных контактной маской, с применением ионов инертных газов, образующихся в ионном разряде. [10]

Схематическое изображение процесса ионной оже-нейтрализацин. ВУ - положение вакуумного уровня. УФ - положение уровня Ферми. [11]

Ионное травление, разложение вещества, десорбция - эти процессы эффективно стимулируются ионным и атомным облучением поверхности материала. [12]

Ионное травление обладает определенными достоинствами, так как это универсальный способ, применимый для всех материалов. Он позволяет строго контролировать процесс травления, поскольку такими важными параметрами, как энергия ионов, интенсивность облучения и температура мишени - можно легко управлять. [13]

Зависимость удельного поверхностного сопротивления Rca от парциального давления реактивного газа. [14]

Сущность ионного травления заключается в том, что сплошную пленку на подложке защищают фотомаской ( задубленный фоторезист), после чего подложку помещают в камеру ВЧ-распыле-ния в качестве мишени. Поскольку бомбардирующие ионы при низком давлении летят на подложку перпендикулярно поверхности, удаление незащищенных фоторезистом участков пленки происходит без подтравливания, которое характерно для химического растворения. [15]

Страницы: 1 2 3 4