Ионное травление

Cтраница 2

Метод ионного травления основан на использовании положительных ионов с высокой кинетической энергией для удаления атомов материала, подвергающегося травлению. В отличие от химического при ионном травлении удаляют как материал, подлежащий удалению, так и фоторезист, поэтому толщина слоя фоторезиста должна обеспечить защиту при продолжительном травлении. Таким образом, ионное травление позволяет сохранять полностью точность рисунка, полученного на фоторезисте. [16]

Проведение ионного травления полупроводников под пленкой фоторезиста / / Физика полупроводников и микроэлектроника. [17]

В основе ионного травления лежит бомбардировка образца ионами газов, например азота или кислорода. Процесс обеспечивает необходимую скорость удаления материала и применим к большинству полупроводниковых материалов. Для обеспечения постоянства скорости травления необходима стабильность источника ионов. Основной недостаток метода состоит в том, что на поверхности образца в результате бомбардировки быстро образуется разрушенный слой. Однако потенциальная универсальность метода в сочетании с удобством и большой скоростью проведения измерений делает его перспективным для более широкого использования. [18]

С помощью ионного травления удается получать рисунок ИС с линейными размерами элементов менее 1 мкм. [19]

Для количественной характеристики ионного травления вводят понятие коэффициента распыления s, определяемого отношением числа распыленных атомов мишени к числу падающих ионов. [20]

В случае же ионного травления толщина маски и слоя рабочего материала не вносит дополнительных искажений в разрешающую способность метода. В процессах ионно-хими-ческого и плазмохимического травления разрешающая способность оказывается ниже, чем при ионном травлении, но всегда выше, чем при жидкостном. [21]

Акустоэлектронный уси-литель пленочного типа.| Усилитель с воздушным зазором. [22]

Эти опоры создаются путем ионного травления и образуют псевдослучайную совокупность, у которой среднее расстояние между рядами составляет 200 мкм. Поскольку размеры опор очень малы и плотность их расположения невелика, они вносят пренебрежимо малый вклад в рассеяние ПАВ. Равномерность зазора в области взаимодействия размером 0 1 X 2 0 см обеспечивается прижимной диафрагмой, в качестве которой служит кремниевая пленка толщиной около 1 мкм, эпитаксиально выращенная на сапфировой подложке. Линия задержки помещается на слое прессованного си-ликагеля, обеспечивающего параллельность верхней пластины из LiNbO3 и полупроводниковой пленки при наложении давления. Конструкция имеет достаточно хорошую воспроизводимость. [23]

Микроскоп позволяет непосредственно наблюдать ионное травление кристаллитов с различной ориентацией. В просвечивающей электронной микроскопии ионное распыление часто используется для уменьшения толщины образцов. [24]

Источник и подложку подвергали ионному травлению в течение 5 мин при напряжении [ 7тр 1000 в. [25]

Иногда, впрочем, универсальность ионного травления может рассматриваться и как ограничение метода, так как с одинаковой скоростью распыляется и материал маски, и рабочий материал. Для увеличения избирательности травления приходится прибегать к использованию масок большей толщины. [26]

В течение нескольких десятков секунд ионного травления оксид цинка удаляется с поверхности и в последующем уже не обнаруживается. Очевидно, аналогичным образом происходит накопление оксида цинка и на поверхности аноднорас-творяющегося образца в промежутке времени между растворением - и Оже - иеследованием. Релаксация, по-видимому, происходит за сравнительно короткое время, так как после прекращения поляризации концентрация вакансий в поверхностных областях сплава уменьшается до равновесной величины, приводя к замедлению диффузионных процессов. Действительно, концентрационные профили компонентов, полученные через 48 и через 340 часов после анодного растворения, практически совпадают. [27]

Как наиболее перспективный, для ионного травления рекомендуется фоторезист ФП-РН-7-ЭК. С его использованием ионное травление металлических пленок возможно проводить на производительных установках УВН-72Р-1, УРМЗ. [28]

Интенсивно внедряются методы и оборудование для ионного травления рисунка и плазмохимического метода удаления фоторезиста. [29]

В последние годы все шире применяется метод ионного травления, основанный на использовании положительных ионов инертных газов с достаточно высокой кинетической энергией для удаления ( распыления) атомов материала, подвергающегося травлению. Поскольку ионы бомбардируют подложку перпендикулярно к ее поверхности, эффект подтравливания при ионном травлении не возникает и точность получения заданной конфигурации существенно возрастает. [30]

Страницы: 1 2 3 4