Ионное травление

Cтраница 3

По сравнению со способом химического травления способ ионного травления перспективен при изготовлении прецизионного рисунка микросхемы, когда ширина элемента соизмерима с толщиной пленки. Он обеспечивает большую точность и стабильность линейных размеров при более высокой точности зазора или элемента; универсальность по отношению к обрабатываемым материалам; возможность получения рисунка микросхемы с одновременным удалением предварительно нанесенной маскирующей полимерной пленки ( при ионном высокочастотном травлении); высокую производительность процесса получения микросхем без промежуточной разгерметизации рабочей камеры установки. [31]

На исследуемой поверхности в обеих зонах до ионного травления излома хорошо видны пики Al2O3, S, Р, С1, К, Са, N, С и большой пик О2 соответственно окислу алюминия. Существенных различий в составе зон 1 и 2 до ионного травления образца в вакууме не выявлено. [32]

Некоторых из этих операций можно избежать, применяя ионное травление. [33]

Более пригодны методы обработки полимерных поверхностей с помощью ионного травления или травления в атмосфере активного кислорода. В первом методе в стеклянной камере, снабженной двумя электродами, в присутствии инертных газов ( чаще всего аргона; давление 10 - 1 - 10 - 3 мм рт. ст.) создается тлеющий разряд. Образующиеся ионы аргона бомбардируют поверхность полимерного образца, помещеьного на катоде. Во втором методе поверхностные слои объекта удаляются при взаимодействии с кислородом, ионизированным в электромагнитном поле. Механизм взаимодействия ионов инертных газов и кислорода с полимерами пока недостаточно ясен. [34]

Более пригодны методы обработки полимерных поверхностей с помощью ионного травления или травления в атмосфере активного кислорода. В первом методе в стеклянной камере, снабженной двумя электродами, в присутствии инертных газов ( чаще всего аргона; давление Ю-1-10-3 мм рт. ст.) создается тлеющий разряд. Образующиеся ионы аргона бомбардируют поверхность полимерного образца, помещенного на катоде. Во втором методе поверхностные слои объекта удаляются при взаимодействии с кислородом, ионизированным в электромагнитном поле. Механизм взаимодействия ионов инертных газов и кислорода с полимерами пока недостаточно ясен. [35]

Как было отмечено Хейманном [117, 118], общим результатом ионного травления поликристаллических материалов является проявление границ зерен. Эти эффекты, а также то обстоятельство, что различные кристаллографические плоскости распыляются с различными скоростями, использовались Хейманном [120] для металлографических исследований поверхностей металлов. Ионная бомбардировка может также нарушать ориентацию кристаллической решетки в приповерхностном слое мишени. Огнлви [121], например, установил, что в результате ионного облучения кристаллов серебра на их поверхности появляются разори-ентированные кристаллиты с некоторыми признаками преимущественной ориентации. [36]

Необходимо отметить вывод Джейла [367] о том, что ионное травление ПВХ, пластифицированного ДОФ, не дает достаточно четкой картины на снимках. Это он объясняет тем, что теплота, выделяющаяся при бомбардировке ионами, способствует миграции пластификатора на поверхность. [37]

В последнее время широкое распространение в производстве микросхем получило ионное травление материалов, которые плохо поддаются химическим способам обработки. Комбинацией такого травления с фоторезистив-ным маскированием можно предотвратить подтравливание фоторезиста и получить более четкий рельеф микросхемы. Эти вопроси подробно рассматриваются в других главах настоящей книги. [38]

Микрофотография НК, выделенного из разбавленных растворов петролейного эфира при - 75... [39]

Зернистость обнаруживается на реплике только после удаления поверхностного слоя ионным травлением. Можно было бы принять, что обнаруженная зернистость Я вляет-ся артефактом и не связана со строением полимера. Обратимость процесса указывает на то, что зернистость связана со структурой самого полимера. [40]

Для изучения распределения концентрации элементов по глубине образца необходимо проводить ионное травление, для чего применяют, напр. За минуту с образца удаляется слой толщиной до неск. Через определенные промежутки времени проводят рентгеноэлектронный анализ пов-сти и получают зависимость интенсивнрстей /, от времени травления или от глубины, если известна скорость ионного травления. Таким образом можно проводить послойный анализ на глубину до неск. Используя зависимость интенсивности / от угла а. [41]

Описанная последовательность появления элементов в исследованных спектрах до и после ионного травления изло ма ( зона 1) согласуется с результатами наблюдений за цилиндрическими и сферическими частицами в зоне фреттин-га, выполненному следующим образом. В матрицу А1 были запрессованы в процессе роста трещины мелкие частицы АЬОз и все это было покрыто сверху слоем адсорбированных элементов в виде грязи. Путем травления элементы, представляющие собой грязь, убрали, а в поле действия электронного пучка ( диаметром 1 - 4 мкм) попали частицы АЬОз и А1 матрицы. Сравнение спектров зон 1 и 2 было проведено другим способом. Систематически интенсивность пика углерода в зоне 1 была максимальной, а в зоне 2 - минимальной. Как следует из полученных спектров ( рис. 88 д), в зонах 1 практически нет загрязнений, есть металлический алюминий ( 68 эВ), много углерода и кислорода. [42]

Воспроизведенное пленкой фоторезиста изображение топологии схемы переносится на соответствующую подложку методом химического или ионного травления, химическим или электрохимическим осаждением. [43]

При определении концентрации элементов по глубине образца последовательно удаляют тонкие верхние слои образца ионным травлением. Проводя регистрацию спектров, получают зависимость интенсивности от времени травления, а при известной скорости травления - от глубины образца. На рис. VI 1.3 показано, например, изменение интенсивности линий рентгеноэлектронного спектра в зависимости от времени ионного травления полимерной пленки, содержащей Si, С, О, нанесенной на алюминиевую подложку. Первоначально наблюдается падение интенсивности линий С Is и О Is, связанное с удалением слоя загрязнений. [44]

Образцы при этих испытаниях готовят механическим утонением ( расщепление, срез), ионным травлением, химическим или электрохимическим полированием или нанесением тонких слоев. Для приготовления тонких срезов любых материалов рекомендовано использовать алмазный резец. Указанные способы полирования из-за гетерогенности фаз КМ позволяют в первую очередь выявить фазы, но при этом, однако, во многих случаях не достигается равномерное утонение слоя материала. [45]

Страницы: 1 2 3 4