Ионное травление

Cтраница 4

Наиболее распространенными методами последовательного удаления слоев являются химическое травление, механическая вибрационная полировка анодирование и ионное травление. [46]

Схема одновременного ионного травления и получения оже-спектров при послойном анализе состава поверхности образца. [47]

Образец бомбардируется сфокусированным электронным пучком и анализируется энергия вторичных электронов ( оже), а при одновременном ионном травлении получают послойные профили. [48]

Технические возможности позволяют изучать образец в камере РЭМ при различных воздействиях ( нагрев, охлаждение, сжатие, ионное травление и др), т.е. в процессе деформации, развития разрушений в полимерах. [49]

Возникающие в разряде положительные ионы с низкой энергией бомбардируют подложку и удаляют с ер поверхности большую часть слабо связанных загрязнений путем нагрева и ионного травления. После этого на источник распыляемого материала ( мишень) подается отрицательный потенциал. Вытягиваемые из плазмы разряда положительные ионы бомбардируют мишень с энергией, достаточной для распыления атомов материала мишени. При больших энергиях бомбардирующих ионов выбитые из мишени атомы двигаются преимущественно в направлении, перпендикулярном к ее поверхности, и могут быть сконденсированы на поверхности подложки, находящейся напротив мишени. Подвижный экран позволяет одновременно или последовательно производить предварительную очистку поверхности подложки и мишени распылением поверхностных загрязненных слоев. Качество очистки поверхности мишени и тем более подложки является одним из решающих факторов в процессе формирования пленки из конденсирующегося распыленного материала. [50]

Хаазе [188] выращивал пленки германия на подложках трех типов: 1) протравленных в реактиве СР-4; 2) протравленных и затем подвергнутых ионному травлению и отжигу в вакууме; 3) полученных сколом в вакууме перед осаждением. [51]

При необходимости исследовать изменение состава образца в зависимости от глубины проводится послойный анализ, который выполняется при совместном использовании ЕСХА и ОЭС или ОЭС с ионным травлением. Послойные спектры ЕСХА получают при последовательном чередовании травления и регистрации спектра. [52]

В качестве базового технологического метода БИС предлагается использовать ионно-лучевую технологию, которая позволит обеспечить создание легированных полупроводниковых слоев ( ионная имплантация), ионную литографию, ионное травление, ионную пассивацию и межэлементную изоляцию. Существенным моментом является то, что все эти процессы могут быть последовательно реализованы в одном цикле путем простого изменения вида, энергии и дозы ионов. [53]

Выбор полимерных материалов для электронорезиетов определяется не только их способностью менять растворимость под действием электронов, но и соответствующим комплексом защитных свойств, обеспечивающих возможность проведения последующих процессов химического или ионного травления. [54]

Последовательность формирования ИМС методом VIP. [55]

Структура узлов изоляции, формируемых данным методом, приведена на рис. 3.16. Основная трудность заключается в формировании узкой и глубокой щели с вертикальными стенками и соблюдением режимов ее заполнения путем плазмохимического или ионного травления. Недостатком конструкций, изготавливаемых по планарной технологии, является то, что слои металлизации располагаются по поверхности кристалла. При уменьшении размеров компонентов размеры слоев металлизации становятся основным фактором, ограничивающим плотность компоновки элементов при изготовлении БИС. Учитывая то, что большую площадь занимает слой металлизации цепи питания, очевидна необходимость формирования этой цепи в объеме полупроводника. Одним из возможных решений этой проблемы является расположение слоя металлизации, по крайней мере шины питания, в изолированной области и соединение его с компонентами через слой легированного полукристаллического кремния. На рис. 3.17 представлена схема такой конструкции ИМС, сформированная на полупроводниковой подложке /, имеющей изолированные 5 и изолирующие 6 области. [56]

При сканировании электронного пучка, которое также осуществляется достаточно быстро ( метод сканирующей оже-ми-кроскопии СОМ), получают данные о двухмерном распределении элементов по площади ( растр), а сочетание с ионным травлением позволяет проводить трехмерный анализ поверхностного слоя образца. [57]

Страницы: 1 2 3 4