Планарный транзистор
Cтраница 1
Планарный транзистор состоит из полупроводниковой пластинки, в которую проводится диффузия примесей р - и n - типа из газовой фазы для того, чтобы образовать в исходном полупроводниковом материале два р - n перехода так, как это имеет место в случае транзистора с диффузионными эмиттером и базой. [1]
Планарный транзистор - стандартный компонент электронных устройств 70 - х годов. [2]
Планарные транзисторы являются наиболее высокочастотными и быстродействующими. Частотный предел выпускаемых промышленностью планарно-эпитаксиальных транзисторов составляет сотни мегагерц при мощности рассеяния несколько ватт. [3]
Планарным транзистором ( рис. 3.39, б) называют диффузионный транзистор, у которого выводы эмиттера Э, базы Б и коллектора К расположены в одной плоскости. [4]
В планарных транзисторах короткие замыкания иногда возникают между металлическими слоями на поверхности оксида и полупроводником. Причиной таких замыканий могут быть отверстия в оксидном слое, появившиеся в результате нарушений слоя в процессе фотолитографии. Например, пылинка, осевшая на поверхность фоторезиста, приводит к тому, что под ней фоторезист не засвечивается, а следовательно, не полимеризуется. После травления оксида на месте, где находилась пылинка, получается отверстие. [5]
В планарных транзисторах короткие замыкания иногда возникают между металлическими слоями на поверхности окисла и полупроводником. Причиной таких замыканий могут быть отверстия в окисном слое, появившиеся в результате нарушений в процессе фотолитографии. Например, пылинка, осевшая на поверхность фоторезиста, приводит к тому, что под ней фоторезист не засвечивается, следовательно, не полимеризуется. После травления окисла на месте, где находилась пылинка, получается отверстие. [6]
В планарных транзисторах, для которых характерно постоянство поверхностного заряда, при подаче смещения на канал происходит перекрытие канала обедненным слоем и концентрация подвижных носителей заряда уменьшается. При большой плотности поверхностного заряда канал распространяется до омического перехода и возникает сквозной канальный ток. Образование каналов Б планарных транзисторах приводит к пробою перехода, что также способствует увеличению обратного тока. [7]
Конструктивное оформление планарных транзисторов в металлическом или пластмассовом корпусе ( рис. 3.10 б в) предусматривает удобство монтажа, высокую механическую прочность прибора и изоляцию кристалла от внешних воздействий. Транзисторы такого типа с высокими электрическими, термическими и частотными параметрами применяются практически во всех устройствах промышленной электроники. Важнейшим преимуществом планарной технологии является универсальность - возможность изготовления на основном оборудовании не только транзисторов ( биполярных и полевых) с различной геометрией структуры, но и интегральных схем микроэлектроники. [8]
Отличие изготовления планарного транзистора состоит в том, что покрытие пластинки полупроводника слоем окисла-нанесение фоторезиста, его засветка, травление и диффузия повторяются с тем, чтобы получить базовую и эмиттерную области. Чаще пла-нарную технологию используют для производства кремниевых транзисторов, так как в этом случае слой SiOg получают наиболее простым, методом - окислением исходной пластинки полупроводника. [9]
 |
Схема технологического процесса изготовления пла-нарного транзистора. [10] |
Однако преимущества планарного транзистора не ограничиваются быстродействием. Например, границы его электронно-дырочных переходов оказываются под слоем окисла. [11]
Коэффициент усиления планарного транзистора в инверсном активном режиме чрезвычайно мал в основном по двум причинам: во-первых, / dK2 / dni, поскольку ( Лк - Аэ) Аа, и, во-вторых, / йк / dKi, поскольку NA NDK, где TV A - концентрация акцепторной примеси в базе, a NDK - концентрация донорной примеси в коллекторе. [12]
Чувствительным элементом является германиевый планарный транзистор. [14]
Места выхода р-и-переходов планарного транзистора на поверхность кристалла полупроводника оказываются под слоем диоксида кремния, который является хорошим диэлектриком. Он служит защитой поверхности кремния от внешних воздействий, повышая стабильность параметров и надежность транзисторов. [15]
Страницы: 1 2 3 4