Планарный транзистор

Cтраница 3

Для того чтобы модель соответствовала планарному транзистору, она кроме свойств, характерных для плоскостного транзистора, должна отражать также работу транзитора при высоких уровнях инжекции, учитывать не только диффузию, но и дрейф носителей. При работе в режиме насыщения и в инверсной активной области модель должна учитывать влияние токов, текущих между выводами базы и коллектора в пассивной зоне транзистора. Кроме того, в модели должно быть отражено накопление заряда не только в области базы, но и в области коллектора при прямом смещении коллекторного перехода. [31]

Пленарный п-р-я-транзистор. [32]

Из рис. 4.10 ясно, что планарный транзистор имеет резко асимметричную структуру: площадь эмиттерного перехода в несколько раз меньше площади коллекторного перехода. [33]

Окисная изоляция компонентов.| Изоляция компонентов типа изопланар. [34]

В полупроводниковых микросхемах наиболее широко применяют диффузионные и эпитаксиально-диффузионные планарные транзисторы. [35]

На рис. 9 - 25 изображена структура планарного транзистора типа ni-p 2 - n2 с инжекционным питанием, представляющего собой одну ячейку ИС. Кристалл типа п выполняет роль эмиттера в этом транзисторе. В отличие от обычных планарных транзисторов в данном случае применяется инверсное включение. [36]

Ввиду отсутствия в отечественной литературе систематизированного изложения теории планарных транзисторов мы вынуждены осветить этот вопрос, поскольку моделирование работы планарного транзистора не может быть выполнено без учета процессов, обусловливающих его работу. Поэтому в данной главе прежде всего кратко рассматривается принцип работы и характеристики планарного транзистора как при низких, так и при высоких уровнях инжекции с учетом его структуры и физических параметров. [37]

Тем не менее повышение допустимого напряжения в структурах мощных планарных транзисторов даже в этих пределах является важной задачей. Мощные пленарные транзисторы - это обычно высокочастотные приборы, используемые для генерирования или усиления радиочастотных сигналов в выходных каскадах передающих устройств. [38]

На рис. 2 - 6 показан кристалл с переходами современного кремниевого планарного транзистора. [39]

Модель Гуммеля - Пуна отражает процессы в активной зоне базы планарного транзистора. Она позволяет учесть условия работы транзистора при высоких уровнях инжекции. [40]

Модели с сосредоточенными параметрами, предложенные позднее с учетом структуры планарного транзистора и режимов его работы в интегральных схемах, либо отражают процессы только в активной зоне планарного транзистора ( модель Гуммеля - - Пуна), либо являются двумерными моделями, но не отражают работы при высоких уровнях инжекции ( модель Голубева - Кремлева), либо стремятся отразить все свойство планарного транзистора, но в них объединены диффузионный ток с рекомбинационным током базы, что не позволяет учесть различие зависимостей последних от величины напряжений переходов. [41]

Схема технологического процесса изготовления планарного транзистора. [42]

На рис. 6 - 55 изображена схема технологического процесса изготовления планарного транзистора из пластинки кремния с эпитаксиальным слоем. После нанесения оксидного слоя пластинка кремния имеет вид, изображенный на рис. 6 - 55, а. [43]

Рассмотрим на конкретном примере, как приближенно можно рассчитать параметры планарного транзистора. [44]

На полученных островках ( в данном случае их два) формируются планарные транзисторы. Для этого изготовляют вторую оксидную маску, через которую в глубь островка, являющегося областью коллектора п-типа, осуществляется диффузия примеси р-типа и получается слой базы р-типа. Затем изготовляют третью оксидную маску, через которую в островки идет диффузия примеси n - типа, и получается эмиттер n - типа. [45]

Страницы: 1 2 3 4