Планарный транзистор

Cтраница 2

Места выхода р-л-переходов планарного транзистора на поверхность кристалла полупроводника оказываются под слоем диоксида кремния, который является хорошим диэлектриком. Он служит защитой поверхности кремния от внешних воздействий, повышая стабильность параметров и надежность транзисторов. [16]

Усилитель выполнен на планарном транзисторе по схеме ОЭ. Последний выполняет, таким образом, функцию элемента фильтра - развязки по цепи питания. [17]

В эпитаксиалЬно - планарном транзисторе боковые поверхности / / изолирующего р-п перехода являются границей коллекторной области 2 n - типа и изолирующей области 4 р - типа, а нижняя поверхность 12 - - границей области 2 и скрытого слоя 3 с подложкой. При использовании микросхемы на этот контакт подают напряжение, при котором изолирующий переход всегда смещен в обратном направлении. Поскольку обратный ток изолирующего перехода мал, обеспечивается удовлетворительная изоляция транзистора от подложки и других элементов кристалла микросхемы. Области, окруженные со всех сторон изолирующим переходом, называют карманами. В них размещают не только биполярные транзисторы, но и другие элементы микросхемы. Обычно в каждом кармане формируют один элемент, но в некоторых случаях размещают несколько например, биполярных транзисторов, у которых согласно принципиальной электрической схеме соединены коллекторы. [18]

От указанного недостатка свободны планарные транзисторы, которые сочетают в себе лучшие свойства и параметры кремниевых и германиевых транзисторов. Высокие напряжения на переходах и сравнительно низкие RH и бпк) сочетание больших мощностей ( до 1 кет) и высоких частот, высокие температуры и малые токи 1КО и / 30, во-первых, приближают кремниевые транзисторы по параметрам к германиевым при лучшей их устойчивости во времени и в диапазоне температур и, во-вторых, делают планарные транзисторы приборами универсального применения. К недостаткам следует отнести пока сравнительно высокую стоимость. [19]

В настоящее время имеются планарные транзисторы ( например, отечественные КТ104, КТ201, КТ203, КТ208, КТ209, КТ501), которые позволяют заменять в схемах сплавные транзисторы как германиевые, так и кремниевые. [20]

Интегральные переключатели ИП-1 ( сдвоенные планарные транзисторы с общим коллектором) в инверсном включении характеризуются следующими значениями параметров: м0 1 1 - - 3 5 мв; i0 sg; 10 - 9 a; R3 - 6 - н 30 ом; Яр 109 ом. [21]

При желании повысить мощность планарного транзистора в принципе следует увеличивать площадь перехода эмиттер - база; для этого можно также увеличить площадь контакта между этими двумя зонами, сделав эмиттер не в виде маленькою круга, а в форме звезды или замкнутой ломаной линии. [22]

Для повышения допустимого напряжения коллектора планарного транзистора иногда применяют травление края коллекторного перехода; при этом создается структура меза, а транзистор называют мезапланарным. При травлении удаляются части базы и коллектора, имеющие наибольшую концентрацию примесей и дефектов; на краю перехода получается скос, который приводит к повышению напряжения поверхностного пробоя. [23]

Профили легирования ( а и распределение избыточной концентрации примесей ( б в пленарном транзисторе. [24]

На рис. 4.12 приведен эскиз планарного транзистора, там же показаны направления перемещения носителей при прямом смещении эмит-терного и обратном смещении коллекторного перехода. Обозначим через Ida диффузионный ток в базе от эмиттера к коллектору при прямом смещении эмиттерного перехода, обусловленный инжекцией электронов из эмиттера в базу, а через / га - диффузионный ток в эмиттере, обусловленный дырками, инжектированными из базы в эмиттер. [25]

Наличие электрического поля в базе планарного транзистора приводит к тому, что крутизна вольт-амперной характеристики 1К ( УЭ) уменьшается по мере возрастания тока коллектора при работе в режимах высоких уровней инжекции. Следовательно, - в модели транзистора должно быть отражено и это явление. [26]

В пленарном транзисторе можно пропускать относительно большие токи, удлиняя контактную линию между зонами эмиттера и базы. [27]

Верхний предел по частоте у высокочастотных планарных транзисторов удается расширить путем создания эмиттера, состоящего из нескольких соединенных параллельно маленьких зон и размещения в этой конструкции выводов эмиттера и базы относительно далеко от этих зон. [28]

Обычно уровень легирования базовой области высокочастотных планарных транзисторов таков, что прокол не должен наблюдаться при любых напряжениях, не превосходящих напряжение пробоя перехода коллектор - база. Однако в тех случаях, когда на поверхность планарных структур при их изготовлении попадают посторонние частицы, особенно содержащие примесь фосфора, толщина базовой области под эмиттером может в отдельных точках оказаться очень тонкой и в этих местах при достаточно малых напряжениях будет происходить прокол. Поэтому, для того чтобы в мощных планарных транзисторах полностью исключить прокол, необходимо обеспечить достаточно низкий уровень загрязнений при проведении всех процессов диффузии и окисления. [29]

Модификация модели Эберса и Мол /. а. [30]

Страницы: 1 2 3 4