Планарный транзистор

Cтраница 4

Несмотря на внесенные изменения, описанные модели недостаточно хорошо отражают свойства планарных транзисторов, чем и объясняется появление новых моделей. [46]

Оптопары диодно-транзи-сторные, состоящие из кремниевого фотодиода, п-р - п кремниевого планарного транзистора у эпитаксиального излучающего диода на основе соединения мышьяк-галлий-алюминий. Предназначены для гальванической развязки электрических цепей, между которыми осуществляется передача информации. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. [47]

Чтобы радиатор транзистора не был включен в цепь нагрузки, для СВЧ планарных транзисторов желательно изолировать коллектор от корпуса. При этом должен быть обеспечен хороший тепло-отвод. [48]

Применение эпитаксиалышх кремниевых структур для изго - товления интегральных схем и СВЧ планарных транзисторов предъявляет жесткие требования к таким параметрам эпитаксиальных слоев, как толщина слоя и его удельное сопротивление. Слои должны иметь равномерную по всей площади толщину и однородное сопротивление. Имеется ряд работ [3 - 5], в которых предлагаются методы расчета скорости роста вдоль и поперек реактора с учетом газодинамических, тепловых и геометрических параметров системы для некоторых конкретных случаев. [49]

Ко времени опубликования работы Лауритцена технология получения кремния была разработана достаточно хорошо и кремниевые планарные транзисторы стали общедоступными. Битва за получение малошумящих транзисторов, судя по всему, была выиграна. [50]

Экспериментальные входные характеристики маломощного эпипланарного транзистора при температуре 60, 20, 60 С. [51]

На рис. 4 приведены экспериментальные зависимости Bxf ( 7l, С) для маломощных планарных транзисторов. Поскольку эти зависимости практически можно считать линейными, облегчается расчет радиоэлектронных схем для микроамперного диапазона рабочих токов. [52]

Речь идет о так называемых многоструктурных транзисторах, которые представляют собой по существу набор миниатюрных планарных транзисторов, изготовленных на общем кристалле, являющемся телом коллектора этих транзисторов, и соединенных параллельно. [53]

Зависимость интенсивности отказов разного вида. [54]

На рис. 4 - 5 показаны зависимости времени испытаний до получения Р 0 9 кремниевых планарных транзисторов типа 2N929 от температуры, построенные для отказов разных видов. В данном случае оказалось, что энергия активации отказов, связанных с увеличением усиления на 10 %, равна 1 2 эв, уменьшением на 10 %: - 2эв и ростом обратного тока - 3 эв. Если построить суммарную зависимость ( показана пунктиром), то она практически не будет отличаться в рассматриваемом диапазоне температур от зависимости для увеличения усиления. Таким образом, при усреднении происходит выделение преобладающего в данном температурном диапазоне механизма отказов. Обычно это отказы одного вида, что позволяет применять модель для представления экспериментальных зависимостей надежности от температуры переходов диодов и транзисторов. [55]

Без заметного ущерба в точности описанную модель можно упростить ( подразумевая ее использование только для планарного транзистора), исключив диод Dm, объединив диоды DGN и Опэ. [56]

Этим объясняется то, что теория, созданная на базе сплавного транзистора, не полностью применима к планарным транзисторам. [57]

Страницы: 1 2 3 4