Мощный транзистор
Cтраница 1
Мощные транзисторы могут изготовляться методом планар-ной технологии, особенность которой заключается в том, что граница р - n - переходов защищена пленкой двуокиси кремния SiO2), которая обладает высокими изоляционными свойствами и обеспечивает надежность работы прибора и высокую стабильность параметров. [1]
Мощные транзисторы рассеивают на коллекторе срав - Хйртельно малую мощность. [2]
Мощные транзисторы VT1 и VT2 включаются сигналом управления попеременно со сдвигом по фазе на 180 относительно друг друга. Если транзистор VT1 находится в режиме насыщения ( рис. 2.14, б), то энергия первичного источника Е через трансформатор Т1, диод VD1 передается в нагрузку и LCD-фильтр. Магнитопровод Т1 намагничивается в прямом направлении. В то же время за счет наводимой ЭДС на дополнительной обмотке Шдощ начинает протекать ток через диод VD2, резистор R и дополнительную обмотку шДОП2 второго инвертора, обеспечивая тем самым намагничивание магнитопровода Т2 в обратном направлении. [3]
 |
Электроды мощных транзисторов. [4] |
Мощные транзисторы изготовляют в большинстве случаев методами сплавной технологии; при производстве высокочастотных транзисторов большой мощности используется планарная технология. [5]
 |
Внешний вид транзисторов ПЗ ( а и ПА ( б. [6] |
Мощные транзисторы П4А - П4Д в схеме с общим эмиттером могут отдавать полезную мощность до 12 вт. [7]
Мощные транзисторы конструируются, исходя из соображений пропускания значительного коллекторного тока при высоком напряжении на коллекторе. [8]
Мощные транзисторы крепятся с обеспечением надежного теплового контакта корпуса с массивными наружными металлическими деталями и шасси. [9]
Мощные транзисторы ( Г14 и Г 5) преобразователя напряжения закрепляют на плате скобами-радиаторами ( рис. 3, в), которые сгибают из алюминия толщиной 0 8 - 1 мм. [10]
Мощные транзисторы ( Г14 и Т15) преобразователя напряжения закрепляют на плате скобами-радиаторами ( рис. 3, в), которые сгибают из алюминия толщиной 0 8 - 1 мм. [11]
Мощные транзисторы характеризуют также импульсной допустимой мощностью Ри. Если ток коллектора задается в виде коротких импульсов длительностью т и скважностью Q, то за время действия короткого импульса температура повышается незначительно из-за тепловой инерции прибора. [12]
 |
Электроды мощных транзисторов. [13] |
Мощные транзисторы изготовляют в большинстве случаев методами сплавной технологии; при производстве высокочастотных транзисторов большой мощности используется планарная технология. [14]
Мощные транзисторы - транзисторы, допускающие рассеивание значительной мощности ( обычно более 1 - 3 em) и потому способные усиливать, генерировать или коммутировать достаточно мощные электрические сигналы. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5