Мощный транзистор

Cтраница 3

Применение мощного транзистора позволяет получить гораздо больший выходной ток, чем от параметрического стабилизатора с таким же стабилитроном. [31]

Для мощных транзисторов исключительно важное значение имеет получение минимального теплового сопротивления между корпусом транзистора и теплоотво-дом. С этой целью применяют прокладки из индиевой фольги и специальные пасты. Если коллектор транзистора имеет потенциал относительно шасси устройства, то между шасси и корпусом прибора прокладывают электрическую изоляцию, имеющую низкое тепловое сопротив-лениехлой окиси бериллия или тонкий лист слюды. [32]

У мощных транзисторов эта зависимость весьма существенна: коэффициент Р в рабочем диапазоне токов может уменьшиться в 2 - 3 раза, а иногда и больше. [33]

Создание мощных транзисторов с помощью планарной технологии позволяет изготовлять эмиттеры очень сложной формы. Пла-нарная технология при использовании пластин с эпитаксиальными слоями дала возможность разработать мощные СВЧ транзисторы. [34]

Конфигурации переходов мощных сплавных транзисторов. [35]

Создание мощных транзисторов с помощью планарной технологии позволяет изготовлять эмиттеры сложной формы. Планарная технология при использовании пластин с эпитаксиальными слоями дала возможность разработать мощные СВЧ-транзисторы. [36]

У мощных транзисторов ( рис. 30, в), требующих лучшего рассеяния, выделяющегося в процессе работы тепла, основание корпуса изготовляется из чистой меди. В другой конструкции к стальному основанию приваривается медный вкладыш, к которому крепится область коллектора. Вывод коллектора имеет с корпусом электрический контакт. [37]

Спецификой мощных транзисторов является то, что они, как правило, работают при высокой плотности токов. Это обстоятельство в значительной, мере влияет на параметры мощных транзисторов, на их зависимость от режима работы, а также на их связь ео структурой приборов. Для приборов, в которых плотность протекающих токов высока, это будет сказываться и на распределении тепловых потоков в структуре прибора в зависимости от режима работы. [38]

У мощных транзисторов, как правило, коллектор непосредственно напаян на корпус прибора, поэтому возможен градиент температуры вдоль тела коллектора от р-п перехода к корпусу. В результате средняя температура, определенная по величине обратного тока / Кбо будет ниже действительной температуры р-п перехода. [39]

Входы мощных транзисторов VT4 и VT5 подключены через резисторы непосредственно к базовым обмоткам трансформатора Т1 АНПН, на которых формируется прямоугольное переменное напряжение амплитудой 2 5 В. [40]

Поддержание мощного транзистора в открытом состоянии осуществляется от базовой обмотки ПОС трансформатора ТЗ. [41]

Для мощных транзисторов в справочниках приводят ряд специфических параметров. Для высокочастотных и сверхвысокочастотных мощных транзисторов вместо граничной частоты иногда указывают критический ток эмиттера / ф при заданной граничной частоте, которая на 3 дБ меньше максимально возможной частоты при оптимальном токе. [42]

Без мощных транзисторов не может обойтись боль шинство электронных систем. Для многих из них нужно создавать питающие устройства, в которых часто используются схемы на транзисторах - это могут быть преобразователи постоянного тока в постоянный ( с другим напряжением) или импульсные схемы питания для счетно-решающих машин. Почти все электронные системы должны в конечном счете осуществить различные управляющие или информационные функции, а для создания исполнительных устройств необходимы мощные транзисторы. Такая значительная область электроники, как вычислительная техника, не может обойтись без мощных приборов, необходимых, в частности, для питания логических систем, схем памяти, а также для выходных устройств математических машин. [43]

Параметры мощных транзисторов должны удовлетворять ряду требований с тем, чтобы обеспечить достаточно хорошую работу соответствующих схем. Необходимость создания приборов с такой сложной структурой оказывает большое влияние на технологию их изготовления, предъявляя к этой технологии весьма высокие требования. Достаточно сказать, что изготовление новейших типов мощных высокочастотных транзисторов не менее сложная проблема, чем получение самых современных монолитных интегральных схем. [44]

Для мощных транзисторов в предельных эксплуатационных параметрах вместо допустимой мощности могут указываться предельно допустимая температура переходов Тп. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5