Мощный транзистор

Cтраница 4

Двухтактный каскад мощного усиления с общим эмиттером, допускающий крепление на общем радиаторе или шасси без изолирующей прокладки. [46]

Корпус мощных транзисторов соединен с коллектором:, а поэтому при использовании для охлаждения транзистора металлического шасси усилителя, соединенного с общим проводом схемы, а также при установке на один общий радиатор обоих транзисторов двухтактного каскада их корпус элек -, трически изолируют от теплоотвода, крепя транзисторы на радиатор через слюдяную прокладку толщиной 0 03 -: - 0 05 мм. [47]

Корпус мощных транзисторов соединен с коллектором, а поэтому при использовании для охлаждения транзистора металлического шасси усилителя, соединенного с общим проводом схемы, а также при установке на один общий радиатор обоих транзистороз двухтактного каскада их корпус электрически изолируют от теплоотвода, крепя транзисторы на радиатор через слюдяную прокладку толщиной 0 03 - - 0 05 мм. [48]

Переключение мощных транзисторов в преобразователях отлично от включения и выключения транзистора, работающего на активную нагрузку. [49]

Схема измерения входных вольтамперных характеристик для схемы с ОЭ. [50]

Для мощных транзисторов в процессе измерений обеспечивается хороший отвод тепла и контролируется температура корпуса. [51]

У мощных транзисторов ( рис. 4 - 28, в), требующих хорошего теплоотвода от коллектора, основание корпуса может быть изготовлено из красной меди. В другом варианте на стальном основании имеется медный вкладыш, к которому крепится область коллектора. Вывод коллектора электрически соединяется с корпусом. Мощные транзисторы обычно изготавливаются методами планарной технологии. Они характеризуются большими площадями переходов, малыми сопротивлениями гэ и гк и относительно большими величинами емкости Ск и обратного тока коллектора. Для уменьшения неоднородности тока по толщине базы используется кольцевая геометрия вывода эмиттера, а вывод базы имеет форму диска и кольца. В ряде конструкций выводы транзистора выполняются в виде гребенки. Иногда для повышения рассеиваемой мощности на одном кристалле выполняются две транзисторные структуры, соединенные параллельно. [52]

Форма напряжения и тока базы выходного каскада. [53]

Использование мощных транзисторов в выходных каскадах строчной развертки возможно при наличии мощных предоконечных каскадов, обеспечивающих мощность, необходимую для управления выходным транзистором. Так как в течение времени прямого хода транзистор должен работать в режиме насыщения, то на базу необходимо подавать отрицательное напряжение, достаточное для полного отпирания транзистора. Ток базы для большинства мощных транзисторов в режиме насыщения равен 0 5 - 0 8 А. [54]

Конфигурации переходов мощных сплавных транзисторов. [55]

Среди низкочастотных мощных транзисторов значительное место занимают сплавные германиевые приборы. Для обеспечения больших токов в транзисторах необходимы большие площади эмиттера. [56]

Среди низкочастотных мощных транзисторов значительное место занимают сплавные германиевые транзисторы. Для обеспечения больших токов в транзисторах необходимы большие площади эмиттера. [57]

Для высоковольтных мощных транзисторов, работающих в режиме ключа, большое значение имеют их частотные свойства. [58]

Пример практической схемы выходного каскада декаметрового передатчика. Заземлен коллектор. Настройка антенны осуществляется емкостью С. [59]

В мощных транзисторах метрового и тем более СВЧ диапазонов сопротивление индуктивности вывода коллектора и индуктивности общего вывода может стать соизмеримым с сопротивлением нагрузки. В грубом приближении действие этих индуктивностей и емкости коллекторного перехода Сь можно учесть, если рассматривать их как линейный Г - образный трансформатор, включенный между внешними клеммами транзистора и коллекторным переходом. Отметим сугубо приближенный характер этой поправки по следующим причинам: трансформатор в данном случае имеет нелинейный реактивный элемент Ск, причем значения индуктивностей выводов редко известны достаточно достоверно; при таком пересчете не учитывается действия высших гармоник и обратной связи через индуктивность общего вывода. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5