Мощный транзистор

Cтраница 2

Мощный транзистор - полупроводниковый прибор, допускающий рассеяние значительной мощности ( обычно более 1 - 3 Вт) и потому способный усиливать, генерировать или коммутировать достаточно мощные электрические сигналы. [16]

Конструкции радиаторов. [17]

Мощные транзисторы, как правило, требуют дополнительного теплоотвода, без которого они позволяют рассеивать весьма незначительную часть их номинальной мощности. [18]

Мощный транзистор необходимо установить - на теплоотвод с полезной площадью охлаждения не менее 40 см2, а теплоотвод изолировать от корпуса автомобиля. [19]

Мощный транзистор VT3 регулирующего элемента стабилизатора напряжения установлен на теплоотводе с площадью поверхности рассеяния около 600 см2, который изолирован от корпуса блока пластмассовыми втулками. [20]

Некотпрые мощные транзисторы выдерживают температуру, близкую к 100 С. Это достигается введением в полупроводниковый материал относительно больших доз примесей. [21]

Наиболее распространенные мощные транзисторы П210, П214 - П217 используются при частотах переключения не выше 1 - 3 кгц, а маломощные П26, 1Т403 - при частотах не выше 3 - 5 кгц. [22]

Обычно высокочастотные мощные транзисторы работают ненадежно в режимах короткого замыкания и холостого хода и могут отказывать при рассогласовании нагрузки на выходе. Например, транзистор 2N5178 обеспечивает мощность около 50 Вт на частоте 500 МГц лишь в тщательно настраиваемом узкополосном усилителе и даже при слабом нарушении согласования возможен отказ. [23]

Кремниевые меза-планарные и пленарные мощные транзисторы изготовляются на пластинах толщиной не менее 120 - 150 мк. [24]

Коллекторные характеристики мощного транзистора. а - - в схеме ОБ. б - в схеме ОЭ. [25]

Такие мощные транзисторы, у которых гэ0, удобно характеризовать крутизной SB схеме ОЭ. [26]

Коллекторные характеристики мощного транзистора. [27]

Такие мощные транзисторы, у которых гэ 0, удобно характеризовать кру тизной S в схеме ОЭ. [28]

Рассмотрим мощный транзистор сплавного типа ( П213, П216, П210), чаще всего используемый в РЭ. В качестве исходной была взята схема замещения Джиаколетто [1], как наиболее удобная при анализе цепей методом узловых напряжений. [29]

Однако наиболее высоковольтные мощные транзисторы в настоящее время изготовляются с помощью меза-плаиарной технологии. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5