Cтраница 1
Униполярный транзистор во включенном состоянии может пропускать электрический ток в обоих направлениях, что позволяет строить различного типа мультиплексоры для коммутации аналоговых сигналов и другие схемы переключения. [1]
Униполярные транзисторы имеют весьма большое I входное сопротивление ( до 1012 - 1014 Ом), что упрощает согласование схем и создание сложных интегральных блоков. [2]
Униполярные транзисторы с каналами п-типа ( n - МОП) обладают большим. [3]
![]() |
Реальная структура дини. [4] |
Униполярные транзисторы находят широкое применение во входных устройствах усилителей при работе от высокоомного источника сигнала, в регуляторах уровня сигнала, в чувствительной по току измерительной аппаратуре, импульсных схемах. [5]
Униполярный транзистор, как и электровакуумный триод, удобно описывать в системе У-параметров четырехполюсника. Так как ток затвора униполярного транзистора ничтожно мал, то У. [6]
Свойства униполярных транзисторов близки к свойствам электронных ламп. Это делает весьма схожими и принципиальные схемы их каскадов на тех и других усилительных приборах. [7]
В униполярных транзисторах с каналом р-типа отрицательный потенциал на затворе инвертирует проводимость в области канала, обусловливая - дырочную проводимость канала. Такие транзисторы работают как переменные резисторы, сопротивления которых определяются напряжением на затворе. Пр-и повышенных напряжениях сопротивление между истоком и стоком униполярного транзистора практически постоянно, что позволяет использовать последние в качестве сопротивлений нагрузки схем. При изменении напряжения между истоком и стоком в области малых значений сопротивление транзистора зависит от толщины и характеристик материала диэлектрика над затвором, а также от особенностей подложки и технологии изготовления и имеет величину 2 - ь4 В. Входной импеданс униполярных транзисторов обладает емкостным характером, поскольку входное омическое сопротивление велико. Выходной импеданс имеет резистивный характер и достигает нескольких килоомов. Вследствие высокого выходного импеданса в схемах на униполярных транзисторах сравнительно низки скорости работы из-за большого значения С-постоянных. [8]
В униполярных транзисторах ток через проводящую область определяется зарядоносителями только одного знака. [9]
В униполярных транзисторах ток образуется носителями заряда одного знака, поток которых управляется электрическим полем. Поэтому наряду с термином униполярный такие транзисторы называются также полевыми. [10]
В униполярных транзисторах перенос заряда производится всегда за счет тока проводимости, как и в проводниках, и в этих условиях инерционность носителей заряда оказывается очень малой. Основное влияние на свойства схемы с полевым транзистором оказывают емкости между его электродами. [11]
![]() |
Схема микросплавного триода с диффузионной базой. [12] |
В униполярном транзисторе типа технетрон электрохимическим струйным методом вытравливается кольцевая канавка вокруг цилиндрического образца германия, а индий осаждается на дно канавки. [13]
Наконец, униполярный транзистор, как и всякий полупроводниковый прибор, подвержен влиянию температуры: от нее зависят ток затвора, ток стока и крутизна. [14]
Частотные свойства униполярных транзисторов обычно характеризуются введением емкостей: С. [15]