Униполярный транзистор - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Лучше уж экстрадиция, чем эксгумация. Павел Бородин. Законы Мерфи (еще...)

Униполярный транзистор

Cтраница 1


Униполярный транзистор во включенном состоянии может пропускать электрический ток в обоих направлениях, что позволяет строить различного типа мультиплексоры для коммутации аналоговых сигналов и другие схемы переключения.  [1]

Униполярные транзисторы имеют весьма большое I входное сопротивление ( до 1012 - 1014 Ом), что упрощает согласование схем и создание сложных интегральных блоков.  [2]

Униполярные транзисторы с каналами п-типа ( n - МОП) обладают большим.  [3]

4 Реальная структура дини. [4]

Униполярные транзисторы находят широкое применение во входных устройствах усилителей при работе от высокоомного источника сигнала, в регуляторах уровня сигнала, в чувствительной по току измерительной аппаратуре, импульсных схемах.  [5]

Униполярный транзистор, как и электровакуумный триод, удобно описывать в системе У-параметров четырехполюсника. Так как ток затвора униполярного транзистора ничтожно мал, то У.  [6]

Свойства униполярных транзисторов близки к свойствам электронных ламп. Это делает весьма схожими и принципиальные схемы их каскадов на тех и других усилительных приборах.  [7]

В униполярных транзисторах с каналом р-типа отрицательный потенциал на затворе инвертирует проводимость в области канала, обусловливая - дырочную проводимость канала. Такие транзисторы работают как переменные резисторы, сопротивления которых определяются напряжением на затворе. Пр-и повышенных напряжениях сопротивление между истоком и стоком униполярного транзистора практически постоянно, что позволяет использовать последние в качестве сопротивлений нагрузки схем. При изменении напряжения между истоком и стоком в области малых значений сопротивление транзистора зависит от толщины и характеристик материала диэлектрика над затвором, а также от особенностей подложки и технологии изготовления и имеет величину 2 - ь4 В. Входной импеданс униполярных транзисторов обладает емкостным характером, поскольку входное омическое сопротивление велико. Выходной импеданс имеет резистивный характер и достигает нескольких килоомов. Вследствие высокого выходного импеданса в схемах на униполярных транзисторах сравнительно низки скорости работы из-за большого значения С-постоянных.  [8]

В униполярных транзисторах ток через проводящую область определяется зарядоносителями только одного знака.  [9]

В униполярных транзисторах ток образуется носителями заряда одного знака, поток которых управляется электрическим полем. Поэтому наряду с термином униполярный такие транзисторы называются также полевыми.  [10]

В униполярных транзисторах перенос заряда производится всегда за счет тока проводимости, как и в проводниках, и в этих условиях инерционность носителей заряда оказывается очень малой. Основное влияние на свойства схемы с полевым транзистором оказывают емкости между его электродами.  [11]

12 Схема микросплавного триода с диффузионной базой. [12]

В униполярном транзисторе типа технетрон электрохимическим струйным методом вытравливается кольцевая канавка вокруг цилиндрического образца германия, а индий осаждается на дно канавки.  [13]

Наконец, униполярный транзистор, как и всякий полупроводниковый прибор, подвержен влиянию температуры: от нее зависят ток затвора, ток стока и крутизна.  [14]

Частотные свойства униполярных транзисторов обычно характеризуются введением емкостей: С.  [15]



Страницы:      1    2    3    4    5