Cтраница 4
До последнего времени классификация на биполярные и униполярные транзисторы не была принята. [46]
В УПЧ па пентодах и униполярных транзисторах наиболее целесообразным способом повышения устойчивости является увеличение собственных емкостей контуров. [47]
![]() |
Схемы включения полевых транзисторов с управляемым. [48] |
В усилительных устройствах применяются полевые или униполярные транзисторы с управляемым р-п переходом и с изолированным затвором. [49]
В заключение следует заметить, что пока униполярные транзисторы имеют весьма ограниченное применение. Так, объем их выпуска в США не превышает 0 2 - 0 3 % от объема производства биполярных транзисторов. [50]
![]() |
Модель униполярного транзистора.| Схематическое изображение МДП-структуры. [51] |
Таким образом, основной элемент модели униполярного транзистора характеризуется удельной крутизной канала / спт и напряжением отсечки l / зи. Значения этих величин определяются электрофизическими параметрами, конфигурацией и геометрией транзисторной структуры. [52]
Электронные схемы с дополнительной симметрией на униполярных транзисторах предполагают одновременное использование транзисторов с каналами р - и n - типа на одной и той же подложке. В схемах эти транзисторы включают последовательно, а их затворы соединяют параллельно. [53]
Однако для повышения быстродействия схем на униполярных транзисторах, а также согласования уровней при совместном использовании схем на униполярных и биполярных транзисторах часто применяют специальные схемы на биполярных транзисторах. [54]
![]() |
Функциональная схема построения трехступенчатого дешифратора.| Пирамидальная схема дешифратора. [55] |
Интегральные дешифраторы могут строиться и на униполярных транзисторах. [56]
![]() |
Динамические запоминающие элементы на униполярных транзистор ах. [57] |
Электрическая схема статического запоминающего элемента на униполярных транзисторах с дополнительной симметрией приведена на рис. 4.47. Транзисторы Тъ и Тв схемы предназначены для соединения триггера запоминающего элемента с разрядными шинами считывания - записи 2 и 3, шина / является адресной шиной. [58]
Канальный транзистор относится к группе так называемых униполярных транзисторов. Название это показывает, что в принципе действия транзисторов этого типа лежит использование носителей заряда только одного знака: электронов или дырок. Это связано с тем, что в этих транзисторах не используется явление инжекции, как это имеет место в биполярных транзисторах. Отсюда видно, что принцип действия униполярных транзисторов должен в корне отличаться от принципа действия биполярных транзисторов. [59]
Полевой транзистор относится к группе так называемых униполярных транзисторов. Название это показывает, чтс в принципе действия транзисторов этого типа лежит использование носителей заряда только одного знака: электронов или дырок. Это связано с тем, что в таких транзисторах не используется явление инжекции, как это имеет место в обычных, иначе говоря, биполярных транзисторах. [60]