Униполярный транзистор
Cтраница 2
 |
Упрощенная конструкция алкатрона. [16] |
Общие закономерности униполярных транзисторов, рассмотренные ранее, разумеется, свойственны и алкатрону. Его анализ практически совпадает с анализом унитрона, так как длина канала L много меньше радиуса затвора В, и потому специфика кольцевой структуры проявляется слабо. [17]
Усилители на униполярных транзисторах строятся в соответствии с общими принципами, изложенными в начале параграфа. Некоторые особенности статического режима этих усилителей поясним на примере широко применяемого истокового повторителя ( рис. 4 - 22, б), построенного на транзисторе с n - каналом. Отсюда при выбранном положении точки А находят сопротивление R из. [18]
 |
Логический элемент ИЛИ - НЕ с параллельным включением униполярных транзисторов ( а и логический элемент И - НЕ с последовательным включением транзисторов ( б. [19] |
Значительный ток через униполярные транзисторы с дополнительной симметрией протекает только во время изменения состояния, когда открьь ваются оба транзистора. Именно в это время и расходуется основная потребляемая мощность. Однако этот ток переходного режима может составлять величину в несколько микроампер, что обусловливает малую мощность рассеяния схем с дополнительной симметрией на униполярных транзисторах. [20]
 |
Конструкция унитро-на ( а и схема его включения ( б. [21] |
В этом отношении униполярные транзисторы имеют много общего с электронными лампами. [22]
 |
Структура динистора ( а и его схематическое изображение ( б. [23] |
Разработаны и выпускаются мощные биполярные и униполярные транзисторы. Специально для целей силовой электроники разработаны и выпускаются мощные четырехслойные приборы - тиристоры и симисторы. Новые типы транзисторов могут коммутировать токи свыше 500 А при напряжении до 2000 В. В отличие от тиристоров эти приборы имеют полное управление, высокое быстродействие и малое потребление по цепи управления. [24]
Но вследствие особенностей униполярных транзисторов необходимо учитывать следующие ограничения: а) в отличие от биполярных приборов, в которых процессы усиления происходят в объеме материала, принцип работы униполярных транзисторов предполагает знание и освоение технологии обработки поверхности подложки и тонких слоев диэлектрика; б) из-за большого входного импеданса для униполярных транзисторов представляют большую опасность статические электрические заряды, которые приводят к пробою диэлектрика затвора ( включение специальных диодов хотя несколько и снижает эту опасность, но приводит к возрастанию входной емкости); в) большой выходной импеданс ограничивает нагрузочные способности и быстродействие; г) поскольку сопротивление униполярного транзистора как нагрузки не должно быть чрезмерно большим, чтобы существенно не снижать быстродействие, необходимо на затвор транзистора нагрузки подавать напряжение значительно большее напряжения питания схемы, а это, как правило, приводит к необходимости использования двух различных источников питания. [25]
Условное графическое обозначение униполярного транзистора представлено на рис. 4.27, а. В соответствии с принципом действия униполярного транзистора в канале между стоком и истоком проходит ток / с, который управляется напряжением, приложенным между затвором и истоком, поэтому униполярный транзистор, подобно электровакуумному триоду, можно рассматривать как источник тока, управляемый напряжением между затвором и истоком. [26]
Существует два типа униполярных транзисторов: с каналом п-типа, работающие на основе его электронной проводимости, и с каналом р-типа, работающие на основе его дырочной проводимости. Униполярные транзисторы имеют большее быстродействие, чем биполярные транзисторы, поскольку их механизм работы не связан с медленными диффузионными процессами; обеспечивают усиление по напряжению и мощности, в то время как биполярные транзисторы обеспечивают усиление по току; их характеристики зависят от входного напряжения, а не входного тока. [27]
Интегральные схемы с униполярными транзисторами называют МОП ( металл-окисел-полупроводник) - структурами. [28]
 |
Схемы триггерного запоминающего элемента на униполярных транзисторах с элементами управления. [29] |
Микроэлектронные схемы на униполярных транзисторах получают все более широкое применение, но наиболее удобное сочетание их достоинств реализуется при построении БИС быстродействующих матриц ОЗУ. На униполярных транзисторах строят статические и динамические ОЗУ. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5