Униполярный транзистор

Cтраница 3

Принцип подачи импульсного питания с помощью переключателя на транзисторный запоминающий элемент.| Электрическая схема запоминающего элемента на униполярных транзисторах с дополнительной симметрией. [31]

В схемах на униполярных транзисторах с каналами одного типа в случае открытия управляющего транзистора открывается и транзистор нагрузки, что ведет к расходу значительной мощности. [32]

Триггерные схемы на униполярных транзисторах, рассмотренные в § 5.2, по своей структуре и способам запуска аналогичны ламповым схемам. [33]

Так как в униполярном транзисторе изменение напряжения в одной из связанных цепей управляет величиной тока или изменением напряжения в другой, то в этом случае можно пользоваться термином крутизна примерно в том же смысле, что и для обычных электронных ламп. Для прибора, способного, согласно сообщению, работать при 140 мггц, расчет дает величину крутизны, равную 24000 мкмо. Интересной особенностью этого полевого прибора является его входное сопротивление, которое может быть сделано значительно более высоким, чем у обычных полупроводниковых транзисторов. [34]

В полевых или униполярных транзисторах ток переносится носителями лишь одного знака - электронами или дырками - основными для данного полупроводника. Различают полевые транзисторы с управляющим p - n - переходом и транзисторы с изолированным затвором с встроенным или индуцированным каналом. [35]

Диоды твердотельные); биполярные и униполярные транзисторы; туннельные диоды; лавинно-пролетные диоды ( С В Ч - генераторы); фотодиоды, лавинные фотодиоды, фототранаисторы; тиристоры, фототиристоры; фотоэлементы, солнечные батареи; светодиоды, инжекц. Шоттки барьерами, изо-типными гетеропереходами, планарно-легированными барьерами. [36]

Различают три области работы униполярного транзистора. [37]

Электрическая схема зайоми-нающего элемента на переключателе токов. [38]

Полупроводниковое ЗУ на основе полупроводниковых униполярных транзисторов и запоминающих элементов статического типа. [39]

В последние годы к униполярным транзисторам проявляется большой интерес в связи с их малыми собственными шумами и высокил входным сопротивлением. [40]

В последние годы к униполярным транзисторам проявляется повышенный. [41]

Однако в схемах на униполярных транзисторах существуют ограничения по скорости работы, связанные с влиянием паразитных емкостей в высокоомных цепях, а также недостатком мощностей униполярных транзисторов для перезарядки этих емкостей. [42]

Схемы стабилизации тока 7К. [43]

Температурная нестабильность каскадов на униполярных транзисторах обусловлена изменением напряжения отсечки зи. [44]

В матрицах ОЗУ на униполярных транзисторах, как правило, используются динамические запоминающие элементы ( одно -, трех - и четыре. Динамический режим работы позволяет существенно снизить потребляемую мощность при сохранении остальных достаточно хороших рабочих параметров и технико-экономических показателей. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5