Маломощный транзистор
Cтраница 1
Типовые маломощные транзисторы в лучшем случае позволяют получить сопротивление шума около 300 Ом. [1]
 |
Конфигурация электродов СВЧ-транзи. [2] |
Некоторые маломощные транзисторы делают бескорпусными и герметизируют защитными слоями лака и эпоксидной смолы. У транзисторов повышенной мощности с корпусом, как правило, соединяется коллектор, а сам корпус привинчивается к шасси аппаратуры, что улучшает теплоотвод. [3]
Все маломощные транзисторы вставлены в отверстия, просверленные в плате. Транзисторы вставлены с обратной стороны платы и опираются на ободок, имеющийся на их корпусе. Если толщина платы превышает 1 - 1 5 мм, то отверстия, предназначенные для входных транзисторов приемного тракта 1Т9, П10, необходимо раззенковать с обратной стороны сверлом большего диаметра с таким расчетом, чтобы донышко транзистора находилось на одной высоте с фольгированной стороной платы. Транзисторы двух последних каскадов передающего тракта снабжены радиаторами, поэтому для них необходимо сделать отверстия по внешнему диаметру транзисторов. Лучше, если отверстая будут иметь шестигранную форму, так как это не даст транзистору вращаться при затягивании радиатора. В выходном каскаде применен транзистор типа КТ907А, у которого эмиттерный вывод соединен с корпусом. Для уменьшения индуктивности эмиттерного вывода между транзистором и радиатором необходимо вставить прокладку из медной фольги. Концы прокладки выводятся наверх и припаиваются к плате. Следует также обратить внимание на минимальную длину выводов конденсатооа 1С5, включенного между базой и эмиттером выходного транзистора. [4]
Для маломощных транзисторов, например, максимальное значение коэффициента усиления р обычно достигается при коллекторных токах / i - 7 - - 20 ма. [5]
 |
Зависимость мощности рассеяния от частоты. [6] |
Использование маломощных транзисторов на больших мощностях, близких к предельно допустимым, также снижает надежность работы из-за перегрева, снижения температурной устойчивости и снижения напряжения пробоя. Поэтому необходимо применять транзисторы минимально возможных для данных конкретных условий мощностей, но так, чтобы транзистор при этом не перегревался. [7]
Выводы маломощных транзисторов делают гибкими для удобства монтажа в аппаратуре. Жесткие выводы обычно делают у мощных полупроводниковых приборов. Для создания надежных электрических соединений приборов при монтаже в аппаратуре вывода облуживают. [8]
 |
Схема стенда для проверки маломощных транзисторов. [9] |
У маломощных транзисторов обычно проверяют обратный или так называемый неуправляемый ток коллектора / БО ПРИ отключенном эмиттерном выводе, а также / Ыэ в схеме с заземленным эмиттером. На рис. 74 приведена схема стенда для проверки маломощных транзисторов как с p - n - р, так и с n - p - п переходами. У микроамперметра ИП-1 должна быть шкала с нулем посередине. [10]
Для маломощных транзисторов со-противление составляет десят-ки ом, а для мощных - единицы ом. [11]
Для маломощных транзисторов регламентируется температура окружающей среды Гв. [12]
У маломощных транзисторов тепло от коллектора передается корпусу, имеющему контакт с окружающим воздухом и охлаждающемуся в основном конвекцией; у мощных транзисторов поверхность корпуса для этой цели недостаточна, и корпус охлаждают при помощи специального радиатора или отводят от него тепло на металлическое шасси устройства. [13]
У маломощных транзисторов тепло от коллектора передается корпусу, имеющему контакт с окружающим воздухом и охлаждающемуся в основном конвекцией; у мощных транзисторов поверхность корпуса для этой цели ( Недостаточна и кореус охлаждают с помощью специального радиатора или отводят от него тепло на металлическое шасси устройства. [14]
Использование маломощных транзисторов на больших мощностях, близких к предельно допустимым, снижает надежность их работы из-за перегрева и увеличения вероятности пробоя. Поэтому необходимо применять транзисторы минимально возможных для данных конкретных условий мощностей, но так, чтобы транзистор при этом не перегревался. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5