Маломощный транзистор

Cтраница 4

Относительная зависимость f / JH от / к для транзисторов типов П13 - П16. [46]

Так, маломощный транзистор типа П13 в схеме рис. а может совершенно свободно коммутировать ток порядка 100 ма в сотни раз быстрее электромеханических реле. [47]

Радиатор для мощного транзистора. [48]

Радиатор для маломощных транзисторов можно изготовить из листовой красной меди или латуни толщиной 0 5 мм в соответствии с чертежами на рис. 11.3. После выполнения всех прорезей развертку сворачивают в трубку, используя оправку соответствующего диаметра. [49]

Тепловой режим маломощных транзисторов можно облегчить, надев на металллческий корпус транзистора тор ( баранку) из спирали, выполненной из медной, латунной или бронзовой проволоки диаметром 0 5 - 1 0 мм. [50]

Конструкция корпуса маломощного транзистора не предусмат-ривает применение внешнего теплоотвода, в отличие от транзисторов средней и большой мощности. При использовании теплоотвода, называемого радиатором, в цепи теплопередачи появляется еще одна инстанция - корпус транзистора - и полное тепловое сопротивление образовано сопротивления-ми двух промежутков: переход - корпус Rthjc и корпус - окружающая среда Rthca, из которых Rthjc ( также, как и Rthja) является параметром транзистора, а Rthca зависит от площади поверхности радиатора и его конструкции. [51]

Для большинства маломощных транзисторов максимальный коэффициент усиления получается при / к1 - - 5 ма. [52]

Конструкция маломощного сплавного транзистора в корпусе с гер-метизацией электросваркой ( а и с холодной сваркой ( о. [53]

Рассмотрим конструкцию маломощных транзисторов ( рис. 6.20), которые изготавливаются в основном методом сплавления. [54]

Однако для сплавных маломощных транзисторов типа П16, наиболее часто используемых в ключевых схемах, как было показано в предыдущем параграфе, время переключения составляет десятки микросекунд. [55]

Крепление транзисторов приклеиванием. [56]

Очень удобно крепить маломощные транзисторы колпачками, прикрепленными к плате одной пустотелой заклепкой. Транзистор в этом случае вставляется в колпачок баллончиком вниз, выводы транзистора распаиваются в отверстия платы. [57]

Типичные значения А22в маломощных транзисторов: для германиевых сплавных 1 - 2 5 мксим, для кремниевых сплавных 0 5 - 2 мксим, для германиевых диффузионно-сплавных 1 - 5 мксим. [58]

Измерение этих параметров маломощных транзисторов чаще всего производится на постоянном токе. Транзисторы средней и большой мощности исследуются в импульсном режиме, когда либо оба источника, либо один - базовый - выдают импульсы напряжения, что резко сокращает габаритные размеры источников питания и уменьшает разогрев транзистора. [59]

Выбор способа крепления маломощного транзистора производится в зависимости от механических нагрузок, воздействующих на транзисторы в процессе эксплуатации аппаратуры и от метода изготовления печатных плат. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5