Маломощный транзистор

Cтраница 3

Для кремниевых маломощных транзисторов собственно / ко при 20 С составляет обычно е более 10 - мка. Указываемые в технических условиях на кремниевые транзисторы значения обратного тока ( 1 - 10 мка) относятся к омическим утечкам между выводами базы и коллектора, слабо зависящим от температуры. [31]

Проверка транзисторов с помощью омметра.| Проверка транзисторов с помощью вольтметра. [32]

У кремниевых маломощных транзисторов обе цифры могут быть выше, а у мощных германиевых - ниже. [33]

У сплавных маломощных транзисторов с корпусом соединена база, у высокочастотных - коллектор. У некоторых новых высокочастотных транзисторов малой мощности ( ГТ311, ГТ313А - ГТ313Е, ГТ322А - ГТ322Е) все выводы электродов изолированы от корпусов. У транзисторов большой мощности с корпусами соединены коллекторы для лучшего теплоотвода. [34]

Для маломощных транзисторов гъ составляет десятки ом, rg - десятки и сотни ом, а / ( - сотни килоом и мегомы. [35]

Для низкочастотных и маломощных транзисторов элемент с помощью держателя приваривается к медному или стальному основанию; в этом случае вывод базы оказывается электрически соединенным с корпусом. [36]

Схемы включения транзистора. a - с общей базой. б - с общим эмиттером. в - с общим коллектором. [37]

Для маломощных транзисторов величины сопротивлений составляют: гэ - десятки ом, гб - десятки и сотни ом, гк - сотни килоом и мегомы. [38]

Схема образования р-п - - р структуры в сплавном транзисторе. [39]

В маломощных транзисторах ( П9, П10, П13 - П16, П101 - П105) с корпусом соединяется базовый электрод, а в мощных - коллекторный, так как хороший контакт области коллектора с корпусом улучшает теплоотвод от коллектора и снижает тепловое сопротивление транзистора. [40]

При маломощных транзисторах выходное сопротивление ключа составляет единицы - десятки ом, его учитывают, если онр соизмеримо с сопротивлением нагрузки. [41]

В маломощных транзисторах тепло от коллектора передается корпусу транзистора, охлаждающемуся конвекцией. У мощных транзисторов корпус охлаждают с помощью специальных радиаторов, причем хорошую теплоотдачу можно обеспечить только при малом тепловом сопротивлении контакта между корпусом транзистора и радиатором. Для этого поверхность радиатора и корпуса транзистора шлифуют и плотно прижимают друг к другу. Чтобы устранить воздушную прослойку между транзистором и радиатором, заменив ее веществом с более высокой теплопроводностью, перед креплением транзистора место контакта покрывают эпоксидной смолой. [42]

Здесь пригодны маломощные транзисторы, предельная частота усиления по току fa которых превышает максимальную частоту принимаемого ВЧ сигнала по крайней мере в 2 раза. Преобразователи на таких транзисторах обладают наилучшими параметрами при питании их напряжением 5 - 7 в и токе коллектора / к около 0 5 - 0 7 ма; в данном режиме коэффициент передачи преобразовательного каскада равен 7 - 10, причем его величина мало зависит от частоты принимаемого сигнала. [43]

Разновидности схем ТПУ. [44]

Так как маломощные транзисторы обычно имеют небольшую коллекторную емкость, то, исходя из двух последних соображений, их следует использовать с последовательной схемой коллекторной цепи. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5