Маломощный транзистор

Cтраница 2

Для маломощных транзисторов обычно приводится тепловое сопротивление переход - среда. Оно почти одинаково для всех типов транзисторов и составляет около 0 5 - 0 7 град / мет. [16]

Для маломощных транзисторов время tp обычно равно 0 5 - 3 мксек. [17]

Классификация современных транзисторов. [18]

Для маломощных транзисторов электрическая мощность, выделяемая на коллекторе, определяется без дополнительного внешнего тештоотвода; для транзистора средней и большой мощности - с дополнительным теплоотводом. [19]

Упрощенная ( пассивп. я эквивалентная схема транзистора и график, поясняющий ее работу. [20]

Для маломощных транзисторов емкость Сбк колеблется в пределах от 2 до 100 пф, тогда как емкость СбЭ составляет обычно 30 - М50 пф. Однако, несмотря на то, что емкость эмиттерного перехода оказывается сравнительно большой, ею можно часто пренебречь из-за малости сопротивления гэ, параллельно которому она подключена. Емкость коллекторного перехода CRK является проходной емкостью транзистора и играет большую роль в схеме с общим эмиттером. Поскольку значение эквивалентной входной емкости каскада составляет Свх якв Сбз Спар / иС бк, где Спар - суммарная паразитная емкость входной цепи; Ки - коэффициент усиления каскада по напряжению. [21]

Для маломощных транзисторов, у которых гк 1 Мом, такая поправка редко необходима. [22]

Для маломощных транзисторов они лежат в пределах 0 5 - 5 мА, для мощных транзисторов - единиц и десятков ампер. При малых токах заметно снижается коэффициент переноса х в результате усиления рекомбинационных процессов в базе при малой плотности неосновных носителей. С увеличением тока эмиттера начинает уменьшаться удельное сопротивление материала базы вследствие насыщения ее носителями заряда, что в свою очередь вызывает некоторое снижение коэффициента инжекции у. Спад коэффициента усиления / 3 ограничивает максимальный рабочий ток транзистора. [23]

У маломощных транзисторов предельные частоты усиления по мощности могут достигать нескольких гигагерц. [24]

Для маломощных транзисторов допустимая электрическая мощность, выделяемая на коллекторе, определяется без дополнительного внешнего теплоотвода; для транзисторов средней и большой мощности - с дополнительным теплоотводом. [25]

Для маломощных транзисторов, у которых гк 1 МОм, такая поправка редко необходима. [26]

Схема измерения обратного тока коллекторного перехода.| Схема измерения начального тока коллектора.| Схема приближенного определения коэффициента усиления транзистора по току р. [27]

Для маломощных транзисторов оно обычно составляет 500 - 1000 ом, для мощных - 0 - 2 ом. Начальный ток коллектора / к почти линейно зависит от приложенного напряжения. [28]

Представление каскада ОБ как усилителя, содержащего каскад ОЭ со 100 % - ной отрицательной параллельной обратной связью по току ( / С-связью. [29]

У маломощных транзисторов гп может быть порядка нескольких Ом или десятков ом, а у мощных - ( меньше одного ома. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5