Бездрейфовый транзистор

Cтраница 1

Бездрейфовые транзисторы имеют во всей базовой области одну и ту же концентрацию примеси. Вследствие этого в базе не возникает электрического поля и носители в ней совершают диффузионное движение от эмиттера к коллектору. [1]

Принцип устройства дрейфового транзистора.| Принцип устройства сплавного транзистора. [2]

Бездрейфовые транзисторы могут иметь сплавные переходы, полученные по такой же технологии, как у диодов. Эти транзисторы принято называть сплавными. В основную пластинку полупроводника с двух сторон вплавляются примеси, образующие эмиттерную и коллекторную области. Так как на коллекторном переходе рассеивается большая мощность, то он обычно имеет значительно большие размеры, чем эмиттерный переход. Однако могут быть изготовлены и симметричные сплавные транзисторы, у которых оба перехода одинаковы. [3]

Рассмотрим бездрейфовые транзисторы, различающиеся по конструкции и технологии изготовления. Отметим, что для бездрейфовых транзисторов полностью применимы расчетные соотношения, выведенные в гл. [4]

Для бездрейфового транзистора § Б - 0, и условие ln ( x) - S qDndtibldxtt const приводит к почти линейному распределению концентрации электронов в базе, показанному штриховой линией на рис. 4.5; оно соответствует тому же току /, что и для дрейфового транзистора, поэтому наклон dtibfdx обеих кривых при х WR одинаков. [5]

Для бездрейфовых транзисторов частота / обычно лежит в пределах 50 - 100 кГц; для дрейфовых транзисторов эти пределы примерно на порядок больше. [6]

Для бездрейфового транзистора со структурой, показанной на рис. 2.30, а, схема имеет вид, представленный на рис. 2.32, а. [7]

Для бездрейфовых транзисторов ( П406, П407, П16 и др.), у которых е0 меньше, чем у дрейфовых, точка Б смещается несколько влево от минимума характеристики диода. [8]

Для бездрейфовых транзисторов ( например, сплавных) Сэ и С не ограничивают времен / ф и tc, для высокочастотных ( например, сплавно-диффузион-ных) эти величины играют роль. [9]

Распределение концентрации электронов от координаты ( а, зависимость т ( т в транзисторе с ускоряющим полем в базе ( б и распределение п ( х в реальном транзисторе ( в. [10]

В бездрейфовом транзисторе т ] 0, и распределение концентрации электронов в базе практически линейно. При наличии ускоряющего ( ri0) электрического поля часть тока электронов по-прежнему переносится за счет диффузии, а другая часть - за счет дрейфа. [11]

В бездрейфовых транзисторах примесь распределена равномерно по всему объему базы. Они не имеют собственного внутреннего поля, поэтому инжектированные из эмиттера носители будут диффундировать в глубь базы в направлении к коллектору под действием собственного градиента концентрации. При этом дрейф носителей отсутствует. [12]

Устройство бездрейфовых транзисторов. [13]

По способу изготовления бездрейфовые транзисторы делятся на сплавные я микросплавные. [14]

Итак, у бездрейфового транзистора при обычном его режиме работы значения - у и 6 близки к единице. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5