Бездрейфовый транзистор
Cтраница 4
Поскольку в дрейфовом транзисторе всегда г) 1, то его коэффициент передачи эмиттерного тока больше, чем у бездрейфового транзистора и практически принимается за единицу. Это объясняется тем, что из-за большей скорости движения в базовой области успевает прорекомбинировать меньшая часть дырок. [46]
Когда задан ток эмиттера и имеет место инжекция, распределение носителей получается весьма своеобразным, отнюдь не линейным, как у бездрейфовых транзисторов. [48]
Легко убедиться, что в случае щ О выражение ( 4 - 129а) переходит в выражение ( 4 - 18) для бездрейфового транзистора. [49]
В том случае, когда значительные величины Вн ст приводят к вредным эффектам, затрудняют стабилизацию рабочей точки в режиме насыщения, следует выбирать бездрейфовые транзисторы. С этой точки зрения наиболее перспективны эпипланарные транзисторы. [50]
 |
Распределение концентрации инжектированных дырок в базе дрейфового транзистора при инверсном включении. [51] |
Легко убедиться, что в случае т) 0 выражение ( 4 - 129а) переходит в выражение ( 4 - 18) для бездрейфового транзистора. [52]
Напряжения источников питания оказываются приложенными в основном к переходам, обладающим по сравнению с областями транзистора значительно большими сопротивлениями, поэтому можно считать, что электрическое поле в базе бездрейфового транзистора практически отсутствует и перемещение дырок от эмиттера к коллектору происходит только из-за процесса диффузии. При непрерывной инжекции ( / э const) в базе устанавливается практически линейное распределение концентрации дырок, которое и предопределяет их перенос через базу. Концентрация собственных неосновных носителей ( дырок) в базе пренебрежимо мала и на рис. 3 - 5, в не показана. [53]
Напряжения источников питания оказываются приложенными в основном к переходам, обладающим по сравнению с областями транзистора значительно большими сопротивлениями, поэтому можно считать, что электрическое поле в базе бездрейфового транзистора практически отсутствует и перемещение дырок от эмиттера к коллектору происходит только из-за процесса диффузии. При непрерывной инжекции ( Ia const) в базе устанавливается практически линейное распределение концентрации дырок, которое и предопределяет их перенос через базу. Например, конкретному току эмиттера / Э2 соответствует кривая распределения 2, показанная на рис. 3 - 5, в. Концентрация собственных неосновных носителей ( дырок) в базе пренебрежимо мала и на рис. 3 - 5, в не показана. [54]
Одна из важных особенностей дрейфовых транзисторов состоит в том, что у них постоянная времени т на 2 - 3 порядка, а коллекторная емкость всего в 5 - 50 раз меньше, чем у бездрейфовых транзисторов, В результате относительная роль коллекторной емкости существенно возрастает и обычно становится определяющей. [55]
Здесь SpeK - эффективная площадь полосы по периметру эмиттера, где происходит рекомбинация инжектированных носителей. Для бездрейфовых транзисторов можно считать, что ширина этой полосы примерно равна толщине пассивной области базы. [56]
Здесь SpcK - эффективная площадь полосы по периметру эмиттера, где происходит рекомбинация инжектированных носителей. Для бездрейфовых транзисторов можно считать, что ширина этой полосы примерно равна толщине пассивной области базы. [57]
 |
Устройство дрейфовых транзисторов. диффузионный транзи. [58] |
В дрейфовых транзисторах перенос носителей заряда через базу осуществляется под действием ускоряющего электрического поля, которое создается за счет неравномерного распределения концентрации примесных атомов. От бездрейфовых транзисторов они отличаются также меньшей величиной поперечного сопротивления базы ГБ ( из-за увеличения концентрации основных носителей заряда около эмиттера) и большей шириной коллекторного перехода ( из-за уменьшения концентрации основных носителей заряда около коллектора), вследствие чего снижается емкость коллекторного перехода Сак и возрастает пробивное напряжение коллектора. [59]
Здесь Spcn - эффективная площадь полосы по периметру эмиттера, где происходит рекомбинация инжектированных носителей. Для бездрейфовых транзисторов можно считать, что ширина этой полосы примерно равна толщине пассивной области базы. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5