Бездрейфовый транзистор
Cтраница 3
 |
Схемы включения транзистора. [31] |
На рис. 4 - 3 показан разрез бездрейфового транзистора со спла ными переходами ( см. § 4 - 13), имеющего дисковую структуру. База этого транзистора однородн поэтому механизм движения носителей - диффузионный. Удельш сопротивления слоев эмиттера и коллектора практически одинаков ] так что фактором, обусловливающим асимметрию транзистора, я ляется различие площадей 8Э и SK. Асимметрия транзистора пресл дует ту цель, чтобы дырки, инжектируемые эмиттером и диффундиру. [32]
В § 2.2.2 рассмотрим теорию п-р - п бездрейфового транзистора с однородно легированными слоями базы, эмиттера и коллектора при низком уровне нпжекции. В этом случае время жизни неосновных носителей заряда и подвижность носителей в слоях транзистора не зависят от координаты, что существенно упрощает анализ. [33]
Чем отличаются законы распределения неравновесных носителей в базе дрейфового и бездрейфового транзистора. [34]
На рис. 3 - 26, г приведена эквивалентная схема бездрейфового транзистора для низких частот, в которой учтено также влияние переменного коллекторного напряжения на ток эмиттерного перехода из-за меняющейся с той же частотой толщины базы I ( CM. [35]
В теоретическом аспекте эти задачи решены в работах [2.6, 2.8] для бездрейфовых транзисторов и в [2.9, 2.10] для дрейфовых. Однако эти решения получены при большом количестве допущений, особенно для дрейфовых транзисторов. Наряду с тем, что теория обратной передачи в теоретической модели транзистора плохо поддается аналитическому анализу, экспериментальное исследование также является затруднительным. На высоких частотах обратная передача практически полностью обусловлена элементами пассивной части эквивалентной схемы и не зависит от теоретической модели. [36]
Выполнение такого неравенства часто затруднительно, а иногда невозможно, особенно в случае бездрейфовых транзисторов, для которых правая часть неравенства может составлять 5 кОм и более. [37]
 |
Распределение неосновных носителей в базе дрейфового транзистора при высоких уровнях инжекции ( штрих-пунктиром показано распределение в бездрейфовом транзисторе при низком уровне инжекции. [38] |
Первый множитель в выражениях ( 4 - 127) есть граничная концентрация неосновных носителей для бездрейфового транзистора с тонкой базой Есм. [39]
 |
Ключ ОЭ с форсирующей емкостью ( пунктиром показана диодная фиксация базового потенциала. [40] |
В большинстве реальных транзисторных ключей условна ( 15 - 51) выполняется даже в случае бездрейфовых транзисторов. Поэтому при анализе импульсных схем спад тока обычно считается мгновенным, однако в некоторых случаях ( малая емкость нагрузки или слабый запирающий ток базы) такое допущение может оказаться неприемлемым. [41]
В большинстве реальных транзисторных ключей условие ( 14 - 51) выполняется даже в случае бездрейфовых транзисторов. Поэтому при анализе импульсных схем спад тока часто считается мгновенным, хотя в некоторых случаях ( малая емкость нагрузки или слабый запирающий ток базы) такое допущение может оказаться неприемлемым. [42]
 |
Распределение концентрации инжектированных дырок в базе дрейфового транзистора при инверсном включении. [43] |
Поэтому на рис. 4 - 41 асимптотическая прямая с параметром б оо ( общая для дрейфовых и бездрейфовых транзисторов) имеет вдвое меньший наклон, чем штрихпунктирная прямая с параметром 60, соответствующая транзистору с однородной базой. Общность асимптотической прямой боо для однородной и неоднородной баз обусловлена следующим: если концентрации избыточных носителей намного превышают концентрации равновесных, то характер распределения последних ( а значит, и характер распределения примеси в базе) не оказывает существенного влияния на распределение избыточных носителей, и это распределение оказывается одинаковым в транзисторах с однородной и неоднородной базами. [44]
Поэтому на рис. 4 - 41, а асимптотическая прямая с параметром б оо ( общая для дрейфовых и бездрейфовых транзисторов) имеет вдвое меньший наклон, чем пунктирная прямая с параметром 60, соответствующая транзистору с однородной базой. Общность асимптотической прямой е оо обусловлена следующим: есхи концентрации избыточных носителей намного превышают концентрации равновесных, то харак-гер распределения последних ( а значит, и характер распределения примеси в базе) не оказывает существенного влияния на распределение избыточных носителей, и это распределение оказывается таким же, как в транзисторе с однородной базой. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5