Бездрейфовый транзистор
Cтраница 2
Итак, у бездрейфового транзистора при обычном его режиме работы значения 7 и 8 близки к единице. [16]
 |
Структурные схемы транзисторов. [17] |
Рассмотрим принцип действия бездрейфового транзистора р-п-р-типа, имеющего одинаковую концентрацию примесей в эмиттерной и коллекторной областях. [18]
Концентрация примесей в базе бездрейфового транзистора постоянна ( - 1015 см-3) и электрическое поле отсутствует. [19]
Надо отметить, что в бездрейфовых транзисторах при большой инжекции со стороны эмиттера в базе возникает электрическое поле, и поэтому движение носителей в ней не будет чисто диффузионным. А в базе дрейфовых транзисторов, хотя дрейф и является основным видом движения носителей, происходит также и диффузия носителей. [20]
Таким образом, сопротивление эмиттера у бездрейфового транзистора меньше, чем у дрейфового, примерно вдвое. Это обусловлено тем, что сопротивление эмиттера в бездрейфовых транзисторах отражает не только изменение тока эмиттера при изменении напряжения, но и учитывает влияние модуляции толщины базы. В дрейфовых транзисторах ток эмиттера в значительной степени определяется электрическим полем; следовательно, роль модуляции толщины базы в данном случае меньше. [21]
 |
Включение сопротивления z в общий вывод четырехполюсника. [22] |
Основное отличие эквивалентной схемы теоретической модели бездрейфового транзистора состоит в том, что для нее нельзя пренебрегать влиянием диффузионных процессов на параметры выходной цепи. [23]
Таким образом, сопротивление эмиттера у бездрейфового транзистора меньше, чем у дрейфового, примерно вдвое. Это обусловлено тем, что сопротивление эмиттера в бездрейфовых транзисторах отражает не только изменение тока эмиттера при изменении напряжения, но и учитывает влияние модуляции толщины базы. В дрейфовых транзисторах ток эмиттера в значительной степени определяется электрическим полем; следовательно, роль модуляции толщины базы в данном случае меньше. [24]
 |
Зависимость статических параметров транзистора от режима. [25] |
Первая причина [63], свойственная всем бездрейфовым транзисторам, приводит к уменьшению а всего на несколько процентов. [26]
Главное внимание в дальнейшем будет уделено бездрейфовым транзисторам, которые более просты для анализа. [27]
Поэтому меньшую величину по сравнению с бездрейфовым транзистором имеет и неравновесный заряд базы, что видно из рис. 4.12, а следовательно, и диффузионные емкости, связанные, как известно, с изменением неравновесного заряда базы. [28]
 |
Схемы включения транзистора. а - с общей базой. б - с сбщим эмиттером. з - с общим коллектором. [29] |
На рис. 4 - 3 показан разрез бездрейфового транзистора со сплавными переходами ( см. § 4 - 13), имеющего дисковую структуру. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5