Cтраница 1
![]() |
Схема включения тиристора в электрическую цепь и распределение потенциалов в переходах. а - тиристор в отключенном состоянии. б - тиристор включен в цепь. [1] |
Точечные транзисторы, в которых выполняются точечные контакты полупроводниковых примесных проволочек, являющихся эмиттером и коллектором, с базовым слоем, имеют ограниченное применение. [2]
Точечные транзисторы по сравнению с плоскостными имеют статический коэффициент усиления по току а больше 1, но меньшее усиление по мощности и дают большие собственные шумы. Они обладают меньшей механической прочностью. Усилительные ступени с точечными транзисторами работают устойчиво только по схеме с общей базой. [3]
![]() |
Основные этапы фотолитографии по кремнию. [4] |
Точечные транзисторы имеют огромное историческое значение они были первыми полупроводниковыми трехполюсниками, в которые обнаружился эффект усиления. [5]
![]() |
Германиевый точечный чечного диода служит крохотная диод типа Д2. пластинка германия или кремния. [6] |
Поскольку точечные транзисторы сейчас не выпускаются, мы расскажем лишь о плоскостных транзисторах. [7]
Устройство точечных транзисторов схематически показано на рис. 6.19 а. Пластинка германия, имеющего обычно электронную проводимость, укреплена на металлическом основании. Вывод от него является выводом базы. С пластинкой имеют контакт две заостренные проволочки из вольфрама, являющиеся - выводами эмиттера и коллектора. Контакты проволочек с германием находятся друг от друга на расстоянии не более нескольких десятков микрон. Внутри германия около контактов с проволочками образуются области с проводимостями различного рода. Таким образом, в точечном транзисторе, как и в плоскостном, имеются p - n - переходы. Благодаря малой собственной емкости точечные транзисторы работают на частотах до десятков мегагерц, но лишь при малых мощностях. [8]
В ней точечный транзистор представлен Г - образной моделирующей схемой, причем реактивные элементы схемы не учитываются. Устойчивость транзистора определяется при коротких замыканиях его выводов. [9]
Браттейн создали германиевый точечный транзистор, пригодный для усиления и генерирования электрических колебаний. [10]
![]() |
Конструкция точечного транзистора.| Этапы изготовления и жоиструкци выращенного транзистора. [11] |
Специфическая особенность точечных транзисторов состоит в больших значениях коэффициента усиления по току в схеме с общей базой ( а2 - ьЗ), что связано с размножением носителей в коллекторе несовершенной структуры. [12]
![]() |
Плоскостной транзистор ( схематическое изображение. [13] |
Частотные свойства точечных транзисторов определяются временем пробега неосновных носителей от эмитгера до коллектора и влиянием пространственного заряда внутри транзистора. На частотах порядка 1 Мгц параметры транзистора ( § 11 - 26) становятся комплексными, а на частотах свыше 15 - 20 Мгц усилительные свойства вообще теряются; последнее не относится к новейшим специальным конструкциям. [14]
![]() |
Семейство коллекторных характеристик точечного транзистора. [15] |