Точечный транзистор
Cтраница 3
На рис. 5 - 4 показаны коллекторные характеристики точечного транзистора в схеме ОБ. Это вполне естественно, поскольку участок пг-р 2 - п2 действительно включен по схеме ОЭ с оборванной базой. [31]
 |
Схемы включения транзисторов. а - с общим эмиттером. б - с общим коллектором. [32] |
На рис. 25 показано устройство и схема включения точечного транзистора. Он состоит из пластинки германия типа п, припаянной с одной стороны к широкому металлическому электроду, называемому базой. [33]
Наряду с описанными выше так называемыми плоскостными транзисторами разработаны точечные транзисторы. На поверхности и-германия помещаются два точечных контакта, вблизи которых создаются р - n - переходы. Один из контактов - эмиттер - включен в пропускном направлении, другой - коллектор - в запорном. [34]
Генераторы без обратной связи могут быть также построены на точечных транзисторах, но они не получили широкого распространения. [35]
Чем объяснить, что в схемах УВЧ почти не применяют точечные транзисторы, хотя большинство из них имеет значительно большую / а, чем плоскостные. [36]
Это явление после соответствующих технологических и конструктивных разработок было реализовано в виде точечных транзисторов. Теория последних достаточно сложная; поэтому ограничимся описанием ее основных положений. [37]
На рис. 5.11 показана схема, которая предлагается как возможная экви-вачентная схема точечного транзистора в виде двух плоскостных транзисторов. [38]
В настоящем Справочнике приводятся данные только плоскостных транзисторов в связи с неперспективностью точечных транзисторов. К каждой из этих областей присоединяются контакты со сравнительно большой площадью. При этом промежуточный слой с проводимостью типа п или р выполняет роль управляющего электрода ( базы), а остальные - соответственно эмиттера и коллектора. [39]
С буквы П начинаются наименования плоскостных, а с буквы С - точечных транзисторов. [40]
 |
Схема опыта, в котором были. обнаружены усилительные свойства полупроводникового прибора. [41] |
Это явление после соответствующих технологических и конструктивных разработок было реализовано в виде точечных транзисторов. Теория последних достаточно сложная; поэтому ограничимся описанием ее основных положений. [42]
Далее везде имеются в виду германиевые транзисторы, так как в период развития точечных транзисторов методы очистки кремния и получения в нем р-п переходов еще не были освоены. [43]
Далее везде имеются в виду германиевые транзисторы, так как в период разви-ня точечных транзисторов методы очистки кремния и получения в нем р - n перехо-ов еще не были освоены. [44]
В 1948 г. американские ученые Бардин и Браттейн создали первый усилительный полупроводниковый прибор - точечный транзистор. Позднее были разработаны плоскостные транзисторы, которые благодаря своим преимуществам вытеснили точечные. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5