Точечный транзистор

Cтраница 2

Частотные свойства точечных транзисторов определяются в первую очередь асстоянием между контактами. Это расстояние трудно сделать меньше десятков икрон; соответственно частота fa не превышает десятков мегагерц. Малая емкость Ск бусловлена ничтожной площадью контактов. [16]

В минувшие годы точечные транзисторы находили более широкое применение во всех тех случаях, когда требовалось обеспечить работу на довольно высоких частотах, однако в настоящее время разработаны плоскостные триоды ( например поверхностно-барьерного типа), частотные пределы которых значительно выше, чем у точечных. Кроме того, схемы на плоскостных триодах более надежны и устойчивы и поэтому подавляющее большинство современных разработок логических и запоминающих элементов осуществлено на плоскостных триодах. [17]

Три схемы включения транзистора ( для упрощения цепи питания транзистора не изображены. [18]

В настоящее время точечные транзисторы как весьма несовершенные, не применяются. [19]

По конструктивным особенностям различают точечные транзисторы, у которых один или несколько переходов точечные ( имеющие размеры, малые по сравнению с толщиной области объемного заряда), и плоскостные транзисторы, у которых размеры переходов велики. Точечные переходы выполняются в виде контакта металлического острия с полупроводником и ввиду низкой стабильности в настоящее время в транзисторах не применяются. [20]

На в.а.х. некоторых типов точечных транзисторов ( § 2.10) также могут возникнуть падающие участки. [21]

В первом типе транзисторов ( точечный транзистор) контакты располагаются очень близко друг от друга. [22]

Коэффициент a 1 некоторых типов точечных транзисторов объясняется условиями их формовки, благодаря которым в них фактически образуется не трехслойная, а четырехслойная структура с тремя p - n - переходами. Применяются точечные транзисторы относительно редко. [23]

Схема опыта, в котором были обнаружены усилительные свойства полупроводникового прибора.| Структура точечного транзистора. [24]

Оба эти условия соблюдаются в точечном транзисторе. [25]

Браттейн открыли транзисторный эффект и получили первый точечный транзистор, в 1949 - 1950 г. американский физик В. Шокли разработал и изготовил плоскостной биполярный транзистор, а в 1952 г. - полевой ( униполярный) транзистор. [26]

В первых транзисторах, так называемых точечных транзисторах, два металлических острия устанавливались на германиевом кристалле таким образом, чтобы места их контакта с кристаллом были расположены в непосредственной близости друг к другу. Конструкция в целом напоминала кристаллический детектор, широко применявшийся на заре развития радио. Спустя совсем немного времени точечный транзистор был вытеснен сплавным транзистором, который в большей степени удовлетворял требованиям к механической прочности и стабильности характеристик во времени. [27]

Схема устройства германиевого транзистора. [28]

По относительным размерам переходов р-п следует различать плоскостные и точечные транзисторы. Но вторые применялись лишь для устройств высокой частоты и в настоящее время почти оставлены - заменены плоскостными транзисторами специальных типов. [29]

Структура тока через коллекторный переход точечного транзистора.| Семейство коллекторных характеристик точечного транзистора. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5