Cтраница 5
Коэффициент a 1 некоторых типов точечных транзисторов объясняется условиями их формовки, благодаря которым в них фактически образуется не трехслойная, а четырехслойная структура с тремя p - n - переходами. Применяются точечные транзисторы относительно редко. [61]
![]() |
Однопереходный транзистор. [62] |
По-видимому, это объясняется наличием у них структуры типа р-п-р-п, которая получалась при формовке коллекторного перехода электрическими импульсами. Однако стабильность точечных транзисторов оказалась крайне низкой, велик был также технологический разброс параметров. Поэтому в настоящее время транзисторы с точечными контактами не выпускаются. [63]
![]() |
Схемы генераторов на точечных транзисторах.| Схема генератора на туннельном дподе.| Схема ключевого генератора. [64] |
С помощью батарей Еъ, Ек и сопротивления jR9 устанавливается необходимый рабочий режим схемы по пост. Генераторы на точечных транзисторах могут работать до частот в носи, десятков Мгц при выходной мощности в несколько мет. [65]
Исторически сложилось так, что первым транзистором был точечный. В настоящее время точечные транзисторы ввиду своего несовершенства не применяются, и наиболее распространенным типом является плоскостной транзистор, разработанный в 1949 - 1950 гг. американским физиком В. Основу транзистора составляет монокристалл кремния ( или германия), в котором созданы два р-га-перехода. [66]
По механизму движения неосновных носителей в базе транзисторы разделяют на бездрейфовые и дрейфовые, а по технологии изготовления - на сплавные, диффузионные, диффузионно-сплавные. По относительным размерам р-га-переходов различают плоскостные и точечные транзисторы. Последние обладают менее устойчивыми характеристиками и в настоящее время промышленностью не выпускаются. [67]