Нагрузочный транзистор

Cтраница 1

Нагрузочный транзистор УТ3 всегда открыт и работает в пологой области характеристики. [1]

Нагрузочный транзистор был смещен подачей отрицательного напряжения на затвор, поэтому он мог работать как р-канальный ТПТ. [2]

Нагрузочные транзисторы триггера Т, Т2 с встроенным каналом имеют пороговое напряжение - 1 В. Вся схема питается от одного источника напряжения 5 В. [3]

Ячейка ЗУПВ с нагрузочными транзисторами с встроенным каналом. [4]

Применение нагрузочного транзистора с встроенным каналом позволяет при прочих равных условиях получить более высокое значение напряжения логической 1 в триггере. В данном случае напряжение питания полностью передается на затвор открытого активного транзистора триггера, так что размеры транзисторов Т3, Г4 можно сделать меньше. [5]

Диаграмма, напряжений в узлах триггера при записи. [6]

Поскольку сопротивление нагрузочных транзисторов очень велико, переходный процесс нарастания потенциала в точке В при записи определяется в основном вентильным транзистором, который в статическом режиме запирается и поэтому не оказывает влияния на потребляемую мощность. [7]

Характеристики ВЫХ БХ.| МДП инвертор с емкостной нагрузкой. а - эквивалентная схема. б - траектория перемещения рабочей точки управляющего транзистора. [8]

Если подложка нагрузочного транзистора заземлена, что имеет место в интегральных схемах, то смещение истока относительно подложки приводит к увеличению времени переключения. Влияние смещения истока сказывается больше при меньших напряжениях на затворе. [9]

Ключевая схема с нелинейной нагрузкой. [10]

Поскольку для нагрузочного транзистора U3Uc, то он всегда работает в пологой области характеристик. [11]

При таких размерах нагрузочный транзистор обеспечивает заданное время выключения и удовлетворяет другие заданные параметры. [12]

ПОР, имеет нагрузочный транзистор, работающий всегда в крутой области, где его свойства близки к свойствам линейного сопротивления. Такую схему называют схемой с квазилинейным сопротивлением нагрузки. [13]

Шеститранзисторная ячейка ЗУПВ со словарной организацией. [14]

На практике сопротивление нагрузочного транзистора и ток / 0 определяются допустимой площадью транзистора на кристалле. Таким образом, выбор параметров нагрузочного транзистора определяется компромиссом между мощностью рассеяния и площадью, занимаемой на кристалле. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5