Cтраница 2
![]() |
Ключевые схемы. [16] |
При подключении затвора нагрузочного транзистора к источнику питания с напряжением, превышающим напряжение питания основной части схемы, повышается быстродействие ключа. Оптимальный выбор напряжения питания затворов приводит к повышению быстродействия схемы в 5 - 10 раз. [17]
![]() |
Ключевые схемы. [18] |
При подключении затвора нагрузочного транзистора к источнику питания с напряжением, превышающим напряжение питания основной части схемы, повышается быстродействие ключа. Оптимальный выбор напряжения питания затворов приводит к повышению быстродействия схемы в несколько раз. [19]
Рассчитать размеры канала нагрузочного транзистора внутреннего инвертора, если известно: Сн 1 пФ: / выкл 0 1 мкс; Р 2 10-в А / В2; Un 15 В; t / CM 27B; t / nop 4B; t / Bmaxl / n; t / BUX 2 В; температура окру-жающей среды 40 С. [20]
Фактически в рассматриваемом ЗЭ нагрузочные транзисторы служат лишь для периодического восстановления информации. Восстановление заряда на запоминающих конденсаторах осуществляется в результате периодического открывания вентильных транзисторов Т3, Tt при наличии единичных сигналов на разрядных шинах. В результате заряд на конденсаторе, подключенном к затвору открытого информационного транзистора, восстанавливается за счет тока, протекающего через связанную с этим конденсатором разрядную шину. [21]
Примем, что подложка нагрузочного транзистора соединена с его истоком. Заряд емкости протекает следующим образом. С течением времени оно увеличивается и ровно на столько же уменьшаются значения напряжений на затворе и стоке, измеряемые относительно истока. Уменьшение этих напряжений приводит к существенному уменьшению тока через транзистор и замедлению процесса заряда емкости. Переходный процесс характеризуется затянутым участком завершения. Если напряжение на затворе U - j равно напряжению питания ( схема с нелинейной нагрузкой), то, как видно из проведенного выше анализа статических состояний, установившийся уровень вероятнее всего определится величиной Ес - Unop, a окончание отрицательного фронта будет очень затянуто вследствие 9.9. Схема цепи заряда нагру-подхода транзистора к состоянию зочной емкости ( а) и зависимость отсечки. [22]
![]() |
Ключевая схема с нагрузочным транзистором с встроенным. [23] |
В случае подключения затвора нагрузочного транзистора с встроенным каналом - к стоку или автономному источнику питания общий вид характеристик ключевой схемы принципиально не отличается от вида характеристик рассмотренного выше ключа с нагрузочным транзистором с индуцированным каналом. [24]
![]() |
Логические схемы ИЛИ-ИЛИ-НЕ на МДПДТН-ИС.| Схема одноразрядного сумматора на МДПДТН-ИС. [25] |
Сочетание дополняющих транзисторов с нагрузочным транзистором позволяет реализовать сложные логические функции с минимумом компонентов. [26]
Поскольку выполняется условие (3.175), нагрузочный транзистор Т2 всегда работает в пологой области выходных характеристик. [27]
![]() |
Нагрузочный МДП транзистор, работающий в пологой области.| Характеристики ивых. ( Увх для случая, когда истоки соединены с подложкой. [28] |
Когда управляющий транзистор закрывается, нагрузочный транзистор также закрывается и его сопротивление резко возрастает. [29]
В динамических элементах на затворы нагрузочных транзисторов подается импульсное питание от источников тактовых импульсов, поэтому работа элементов синхронизирована тактами. [30]