Нагрузочный транзистор

Cтраница 4

Когда логический элемент построен на дискретных транзисторах, подложка и исток нагрузочного транзистора могут быть соединены и пороговое напряжение не будет изменяться. [46]

Вольт-амперные ( а и переходные ( б характеристики нагрузочных транзисторов. [47]

Рн, так что возможным становится уменьшение либо длины канала LH нагрузочного транзистора, либо ширины канала Z & активного транзистора. В обоих случаях площадь HL уменьшается, при этом во втором случае уменьшается и выходная емкость ключевой схемы за счет уменьше - ния площади p - n - перехода стока активного транзистора. [48]

Рассеиваемая ячейкой мощность в режиме хранения РСч определяется током, протекающим через нагрузочный транзистор в открытом плече триггера. [49]

Схема ИЛИ-НЕ получается параллельным соединением ключей и присоединением к объединенному стоку истока нагрузочного транзистора. [50]

Нормированные передаточные характеристики инвертора с нелинейными резисторами. [51]

Помехоустойчивость инвертора увеличивается с ростом отношения крутизны характеристики ключевого транзистора к крутизне характеристики нагрузочного транзистора. [52]

Как следует из выражения (3.33), длительность фронта выключения уменьшается с увеличением удельной крутизны нагрузочного транзистора. Поэтому при проектировании инвертора с нелинейной нагрузкой геометрические размеры нагрузочного транзистора определяются заданной длительностью фронта импульса. Быстродействие инвертора существенно повышается при работе нагрузочного транзистора в крутой области в. Ump предотвращает запирание нагрузочного транзистора во время переходного процесса. [53]

Схемы выходных инверторов. [54]

Как указывает автор ( работы [24], для получения большого быстродействия инвертора желательно, чтобы нагрузочные транзисторы с встроенным каналом имели достаточно большое ( по абсолютному значению) пороговое напряжение. Необходимое значение [ 70 должно быть при этом не менее 2 5 В. [55]

На рис. 3 - 4 6 представлены переходные характеристики ключевых схем для различных способов включения нагрузочного транзистора, из которых видно, что использование в качестве нагрузочного компоне нта транзистора с встроенным каналом обеспечивает наибольшее быстродействие при сохранении потребляемой мощности на уровне схем с нагрузкой в виде транзистора с индуцированным каналом. [56]

Схема одноразрядного сумматора на МДПДТ-ИС. [57]

Интересные возможности в построении экономичных по числу компонентов интегральных схем дает применение дополняющих МДП-транзисторов с нагрузочным транзистором. Такой класс МДП-схем можно условно обозначить как МДПДТН-ИС. [58]

Еще большие возможности при построении экономичных по числу элементов интегральных микросхем дает применение дополняющих МДП-транзисторов с нагрузочным транзистором. Примером таких схем могут служить сумматоры, которые по сравнению со схемами а транзисторах р-типа содержат меньшее число транзисторов и характеризуются меньшей потребляемой мощностью и повышенным быстродействием. Логические схемы с нагрузочным транзистором являются наиболее перспективными при разработке статических ИМС. [59]

Триггер на МДП-транзисторах может быть образован путем соединения двух инверторов, каждый из которых содержит один ключевой и один нагрузочный транзистор. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5