Идеальный транзистор

Cтраница 1

Эквивалентная схема транзистора как линейного шумящего четырехполюсника с шумовыми генераторами тока на входе и выходе. [1]

Идеальный транзистор имеет такие же величины малосигнальных У-параметров, что и реальный, и учитывает усилительные свойства последнего. Эквивалентные источники шумового тока i и г 2 учитывают шумы реального транзистора. Так как шумы на входе и выходе транзистора могут создаваться одним и тем же внутренним источником, токи ii и / 2 статистически связаны ( каррелированы) друг с другом. [2]

Схема идеального транзистора и его физические параметры непосредственно определяются из физических свойств транзисторов. [3]

Для идеального транзистора, у которого г 0, получается S - а / гэ. Это совпадает с определением, данным на стр. [4]

Эквивалентные схемы ( а, 5, а, г л статические характеристики ( д, е при релейной аппроксимации характеристики переходов. [5]

Состояние идеального транзистора ( область работы) определяется величинами напряжений иъ на эмиттерном и va на коллекторном переходах. [6]

Для идеального транзистора, у которого rg 0, получается S - a / / - 9, что совпадает с определением крутизны на с, 222 с точностью до знака. [7]

Матрица у идеального транзистора для рассматриваемой схемы включения приведена в гл. [8]

Эквивалентная схема идеального транзистора определяется на основе физических параметров, описывающих явления диффузии в базе. На рис. 261 представлена схема реального транзистора ( включенного по схеме с общим эмиттером), в которой проводимости определены для случаев идеального транзистора. [9]

Таким образом, идеальный транзистор на схеме рис. 7.3 а учитывает только усилительные свойства реального транзистора. Его шумы и входная проводимость учитываются отдельно. [10]

Известно несколько моделей идеального транзистора. Одна из них, называемая моделью Эберса-Молла, для схемы транзистора с ОБ изображена на рис. 8.6 а. [11]

Какие две полные проводимости идеального транзистора в схеме с общей базой наиболее чувствительны к типу перехода. Как характеристики этих двух транзисторов отличаются, если приняли, что при данном смещении все параметры, включая ка и Kg, численно идентичны. [12]

Вольтамперные характеристики транзистора П4Б в области насыщения. [13]

Это построение строго справедливо для симметричного идеального транзистора. [14]

Выражения (1.13), (1.14) позволяют рассматривать идеальный транзистор в активном режиме как линейный усилитель тока. [15]

Страницы: 1 2 3 4