Идеальный транзистор

Cтраница 2

Таким образом, в схеме замещения идеального транзистора точка соединения нулатора и норатора соответствует эмиттеру, свободный вывод нулатора-базе, свободный вывод норатора - коллектору. [16]

Определим коэффициенты усиления по напряжению и току идеальных транзисторов, включенных по схеме с общей базой, общим эмиттером и общим коллектором. Полагаем, что в этих случаях транзисторы согласованы на входе и выходе. Полученные результаты близки к точным для реальных транзисторов ( рабочие коэффициенты усиления которых были рассчитаны в под-разд. [17]

Статические характеристики ключа. [18]

На этом же рисунке даны графики зависимости Ufa идеального транзистора и 1 / вэ реального транзистора от входного напряжения. [19]

Эквивалентный источник шумового напряжения mi включен последовательно с входом идеального транзистора, а эквивалентный источник шумового тока г ш1 - параллельно. [20]

Выражение ( 4.12 а) представляет собой семейство коллекторных характеристик идеального транзистора. [21]

Заранее оговоримся ( в рамках данного сообщения бездоказательно), что идеальный транзистор, без дефектов и без поверхностного пробоя, также обладал бы гистерезисом вольтамперных характеристик при достаточно большом сопротивлении базы. [22]

В соответствии с этим сначала будут рассмотрены свойства р-п перехода, затем идеальный транзистор и в заключение модель реального транзистора. [23]

Из этих уравнений можно будет непосредственно получить эквивалентную схему F-параметров для идеального транзистора, к которой затем будут добавлены внешние параметры. [24]

Эквивалентная схема для анализа температуркой нестабильности рабочей точки транзистора. [25]

Системе ур-ний (2.11) соответствует эквивалентная схема рис. 2.4. В ней реальный транзистор представлен в виде идеального транзистора, режим работы которого абсолютно стабилен. Влияние температуры на смещение рабочей точки реального транзистора учитывается с помощью эквивалентных возмущающих генераторов напряжения и то. [26]

Уравнения для полных переменных токов, выраженные через полные переменные напряжения, дали соотношения для полных проводимостей идеального транзистора. Затем к идеальной схеме были добавлены внешние параметры, позволяющие получить эквивалентную схему У-параметров, более близкую к действительности. [27]

Возводя полученное выражение в квадрат и переходя в нем к шумовым параметрам, найдем средний квадрат напряжения шумов на входе идеального транзистора. [28]

Вольт-амперные характеристики диодов. а - обращенного, б - туннельного. [29]

Рш, который показывает, во сколько раз мощность шума в цепи нагрузки реального транзистора больше мощности шума на выходе идеального транзистора, эквивалентного по всем прочим параметрам реальному прибору. [30]

Страницы: 1 2 3 4