Идеальный транзистор

Cтраница 4

Эквивалентная схема идеального транзистора определяется на основе физических параметров, описывающих явления диффузии в базе. На рис. 261 представлена схема реального транзистора ( включенного по схеме с общим эмиттером), в которой проводимости определены для случаев идеального транзистора. [46]

Структура многоэмиттерного транзистора.| Эквивалентная схема ммогоэмиттерного транзистора. [47]

Собрав воедино соответствующие парциальные элементы этой структуры, получим эквивалентную схему многоэмиттерного транзистора ( рис. 3 - 88), на которой приняты следующие обозначения: ИТ - идеальный транзистор ( теоретическая модель); L6, L6, L3, L3, LK, LK - индуктивности внутренней и внешней части выводов электродов; CIK, С2к, Сзи - емкости электродов относительно корпуса транзистора; г6 - распределенное активное сопротивление сетки базы; Г6 - распределенное активное сопротивление тела базы; Ск. [48]

В этом случае можно использовать схему идеального транзистора, приведенную на рис. 137, по которой ( полагая ец, 1 для вычисления Л и других матриц) сразу получаем матрицу проводимостей четырехполюсника, представляющего собой идеальный транзистор, включенный по схеме с общей базой. [49]

Это объясняется следующим образом. Сравнив выражение (16.21), описывающее зависимость Sn. T идеального транзистора от Um в пологой области с выражением (16.23), описывающим зависимость проводимости канала G от Um в крутой области, нетрудно заметить, что они идентичны. [50]

Здесь имеет место перенос носителей заряда только от эмиттера к коллектору. Так как перечисленные эффекты нелинейны, то все параметры идеального транзистора ( рис. 8.6) описываются нелинейными функциями. [51]

При расчете выходных каскадов используется обычная методика расчета усилителей режима В, за исключением специальных случаев, когда необходимо обеспечить более высокую температурную стабильность. Для обеспечения хорошей температурной стабильности необходимо, чтобы отношение R IRa было мало. Сопротивления Rs и Ra указаны на рис. 18 - 1 для случая идеального транзистора. Это отношение обычно меньше четырех, а величина R3 выбирается достаточно большой, насколько это допускается заданным коэффициентом полезного действия. [52]

Существуют два механизма, порождающих ток базы. Во-первых, это дефект рекомбинации SR, который является результатом невозможности достижения нулевой ширины базы Жили бесконечно большого времени жизни тъ. Оба названных дефекта идеального транзистора определяются как отношение соответствующей компоненты базового тока к току неосновных носителей, инжектированных в базу из эмиттера. [53]

Страницы: 1 2 3 4