Идеальный транзистор
Cтраница 3
Коэффициент шума Fm показывает, во сколько раз полная мощность шумов, выделяемая на нагрузке реального транзистора, больше мощности шумов на выходе идеального транзистора. [31]
 |
Напряжения включенного [ IMAGE ] Температурные коэффициенты. [32] |
Электрические характеристики этих элементов, такие, как зависимость дрейфа от начального напряжения сдвига, шум и зависимость напряжения между базой и эмиттером от коллекторного тока, приближаются к соответствующим характеристикам идеального транзистора. Объемные сопротивления эмиттера и базы значительно ниже, чем у других, выпускаемых в настоящее время согласованных пар, монолитных или дискретных, благодаря чему обеспечивается очень низкий уровень шума и теоретическая возможность работы в широком диапазоне токов. Значения большинства параметров гарантируются в диапазоне токов от 1 мкА до 1 мА и в диапазоне напряжений между коллектором и базой от 0 до 40В, при этом почти во всех приложениях характеристики оказываются очень хорошими. [33]
В результате рассмотрения структуры и характеристик планерного транзистора при работе в условиях низких и высоких уровней инжекции и различных транзисторных моделей приходим к выводу, что модели первого поколения, основанные на теории идеального транзистора ( модель Эберса и Молл а, зарядная модель, двухсекционная модель Лин-вилла), не могут быть использованы для анализа интегральных схем и других схем, включающих пленарные транзисторы без внесения коррективов. [34]
В главе 8 были выведены значения полных проводимостей транзистора для эквивалентной схемы в широкой полосе частот. Элементы схемы идеального транзистора были даны в виде гиперболических функций от иррациональных аргументов. В данной главе рассматривается, как эти функции могут быть аппроксимированы посредством рациональных функций. Затем при помощи рациональных, а следовательно, приближенных выражений Л - параметров составляются практические эквивалентные схемы для транзисторов в широкой полосе частот; выводится эквивалентная схема для / г-па-раметров при включении с общим эмиттером, которая в некоторых случаях весьма удобна. Элементы этой эквивалентной схемы представлены в основных параметрах приборов. Знание этих соотношений позволяет связать характеристики схемы прибора с внутренними физическими параметрами. [35]
В этом случае можно использовать схему идеального транзистора, приведенную на рис. 137, по которой ( полагая ец, 1 для вычисления Л и других матриц) сразу получаем матрицу проводимостей четырехполюсника, представляющего собой идеальный транзистор, включенный по схеме с общей базой. [36]
На очень низких частотах схема, показанная на рис. 263, превращается в схему, приведенную на рис. 264, в которой вместо проводимостей даны сопротивления. Тогда эта схема совпадает со схемой идеального транзистора. [37]
Модель реального транзистора создается подключением к модели идеального транзистора линейных сопротивлений, емкостей и индук-тивностей. В некоторых случаях учитываются нелинейные свойства и этих частей реального транзистора. [38]
 |
Семейство входных ( а и выходных ( б. [39] |
В схеме с ОБ сопротивление г 6 является общим для входной и выходной цепей. На рис. 4.7, б оно вынесено за пределы идеального транзистора, у которого собственное сопротивление базы для тока принимается равным нулю. [40]
 |
Семейство входных ( а и выходных ( б характеристик транзистора в схеме с общей базой. [41] |
В схеме с ОБ сопротивление г 6 является общим для входной и выходной цепей. На рис. 4.7, б оно вынесено за пределы идеального транзистора, у которого собственное сопротивление базы принимается равным нулю. [42]
Значительно сложнее обстоит вопрос с составлением и описанием внутренней части эквивалентной схемы - идеальным транзистором. [43]
Эквивалентный П - образный четырехполюсник для нормального транзистора. I), что схема реального транзистора получается из эквивалентного П - образного четырехполюсника идеального транзистора при учете внутреннего сопротивления базы гьь. [44]
Наличие емкости kbCc на рис. 263 есть прямое следствие эффекта Миллера. Действительно, можно рассматривать реальный транзистор, возбуждаемый идеальным источником напряжения, как эквивалентный идеальному транзистору, возбуждаемому от источника с внутренним сопротивлением Ке гьь. [45]
Страницы: 1 2 3 4