Плоскостной транзистор

Cтраница 1

Плоскостные транзисторы классифицируются по ряду приз-накос. [1]

Устройство плоскостного транзистора. а - ехемз, ft - внешний вид. / - монокристалл, 2 I. 6 - полупроводники с примесью, 3, 4 и S - токоотводы. [2]

Плоскостной транзистор представляет собой монокристаллический полупроводник с двумя близко расположенными электронно-дырочными переходами. Основой структуры транзистора является монокристалл / полупроводника ( рис. 56), в котором при помощи примесей созданы три области с чередующимися типами проводимости. Если средняя область имеет электронную проводимость типа и, а две примыкающие области - дырочную типа р, то структура такого транзистора - типа р-п - р в отличие от транзистора п-р - л, имеющего среднюю область с дырочной проводимостью. Средняя область транзистора между двумя р - n - переходами называется базой, а крайние области - эмиттером и коллектором. От них сделаны внешние токоотводы, называемые соответственно эмнттер-ными, коллекторными и базовыми. [3]

Транзистор типа п-р - п. [4]

Плоскостной транзистор состоит из пластинки германия или кремния, в которой искусственно созданы три области различных проводимостей. Две крайние области всегда имеют одинаковый тип проводимости, а средняя область - другой. По сравнению с крайними областями средняя имеет ничтожно малые размеры. Ее толщина не превышает 10 - 20 мк. [5]

Плоскостной транзистор состоит из р - / z - перехода, смещенного в прямом направлении, который снабжает носителями тока р - га-переход, смещенный в обратном направлении. [6]

Распределение токов в транзисторе структуры р-п - р при нормальных смешениях. [7]

Плоскостной транзистор представляет собой монокристаллическую структуру, состоящую из трех областей с чередующимися типами проводимости ( р-п - р или п-р - п), причем толщина w средней области - базы, разделяющей два р-п перехода, делается меньше диффузионной длины L неосновных носителей. [8]

Плоскостные транзисторы включаются по схемам: 1) с общим ( заземленным) эмиттером ( фиг. [9]

Плоскостной транзистор представляет собой управляемый полупроводниковый прибор, обладающий усилительными свойствами. [10]

Плоскостной транзистор p - n - p - типа состоит из кристаллической полупроводниковой пластинки, имеющей n - проводимость; по обеим сторонам пластинки вплавлены два индиевых шарика, причем их граничные ( поверхности с пластинкой параллельны. [11]

Упрощенная структура плоскостного транзистора.| Условны обозначения транзи сторов. [12]

Плоскостной транзистор, разработанный в 1949 - 1950 гг. амери канским физиком В. [13]

Зависимость а от температуры для транзисторов со сплавленным и тянутым переходами. [14]

Плоскостные транзисторы с тянутым переходом обычно могут работать при несколько более высоких напряжениях на коллекторе, чем сплавные транзисторы. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5