Плоскостной транзистор

Cтраница 5

Характеристики типичного плоскостного транзистора.| Схематическое изображение конструкции точечно-контактного тра н. [61]

Сравнение с характеристиками плоскостного транзистора ( рис. 2 - 71) показывает, что сопротивление коллектора гк для точечно-контактного транзистора значительно меньше, обычно порядка 50 000 ом. Входное сопротивление совсем низкое, от нескольких сотен ом при малых токах эмиттера и примерно до 50 ом при больших токах. [62]

Транзисторная схема с общим эмиттером. а - схема, б - входные базовые характеристики, в - выходные коллекторные характеристики при разных токах базы. [63]

Выходные коллекторные характеристики плоскостного транзистора в схеме с общей базой ОБ напоминают характеристики идеального пентода. В связи с тем, что обратный ток диода мало зависит от обратного напряжения, коллекторный ток мало зависит от величины включенного последовательно в цепь коллектора сопротивления нагрузки и от внешнего напряжения питания коллектора. Нелинейные ис кажения, вносимые этими характеристиками, чрезвычайно малы. При токе эмиттера, равном нулю, тепловой ток коллектора / ко очень мал ( 2 - 10 мка), но он возрастает вдвое при увеличении температуры а 10 С. [64]

Так как у плоскостных транзисторов входные статические характеристики идут узким расходящимся пучком, то динамическую входную характеристику можно считать приближенно совпадающей со статической. [65]

Профили легирования ( а и распределение избыточной концентрации примесей ( б в пленарном транзисторе. [66]

В отличие от плоскостного транзистора пленарный транзистор имеет сильно легированную по сравнению с базой эмиттерную - область, в то время как область коллектора легирована слабее области базы. [67]

Страницы: 1 2 3 4 5