Плоскостной транзистор

Cтраница 3

У современных плоскостных транзисторов избыточные шумы имеют: ущественное значение только при частотах менее нескольких килогерц. На частотах 10 кгц и выше с ними обычно можно не считаться. [31]

У маломощных низкочастотных плоскостных транзисторов ( рис. 30, о) к основанию обычно крепится база, вывод которой имеет с корпусом прибора электрический контакт. Через тонкую пластинку 7 базы осуществляется отвод тепла от коллекторного перехода. Основным недостатком прибора является его слабая герметичность, так как ножка прибора легко деформируется при сварке, что приводит к появлению мелких трещин в изоляторах. [32]

Точечные и плоскостные транзисторы. а устройство и внешний вид транзисторов С1 и С2 [ 1 - кожух, 2 - корпус ( база, 3 - кристаллодержа-гель, 4 - германий, 5 - эмиттер, 6 - коллектор, 7 - изолирующая втулка, 8 - выводы ]. б внешний вид точечных транзисторов СЗ, С4 и плоскостных П6, П8 - П11. П13 - П15, П101 - П106. [33]

К плоскостным транзисторам типа р-п - р для усиления и генерирования колебаний малой мощности высокой и низкой частоты относятся следующие приборы. [34]

В плоскостном транзисторе ток эмиттера почти равен току коллектора. Входной ток проходит через малое сопротивление ( порядка 100 ом) эмиттерного перехода и попадает на клеммы коллектора почти неизменным ( по величине), но теперь он может протекать через нагрузочное сопротивление в несколько тысяч омов. Легко видеть, что таким путем может быть получено значительное усиление по мощности. Однако часть дырок рекомбинирует в базовой области. Эффект рекомбинации снижает усиление по мощности. Рекомбинация также ограничивает предельные частоты транзистора. Кроме того, доля электронного и дырочного токов, проходящих через каждый переход, частично определяется удельными сопротивлениями этих трех областей. Переходная характеристика в основном определяется тем временем, в течение которого дырка существует в базовой области до рекомбинации. [35]

В плоскостных транзисторах при больших обратных напряжениях смещения на переходе коллектор - база электрическое поле в области объемного заряда коллектора может достигать величин, - при которых наступает лавинное умножение носителей заряда. [36]

В плоскостных транзисторах сх 0 95 - 0 999 и зависит от режима работы. [37]

Так как плоскостной транзистор, имеющий а1, остается устойчивым при любых бесконечных им-митансах на входе и выходе, его можно рассматривать как активный четырехполюсник, который можно описывать матрицей пара - з 0-метров любого типа. [38]

Условное обозначение транзисторов.| Структурная схема транзистора. [39]

Ниже рассматриваются плоскостные транзисторы. Точечные транзисторы ввиду их бесперспективности промышленностью не выпускаются. [40]

Промышленность выпускает только плоскостные транзисторы. Схематично их конст -, рукция изображена на рис. 5.326. В пластинку из полупроводника типа п ( в базу) вплавлены с двух сторон примеси, образующие, эмиттер и коллектор. От базы, эмиттера и коллектора сделаны выводы. Прибор помещен в герметичны ] корпус. [41]

Внутренние параметры плоскостных транзисторов имеют следующие значения: гэ я 5 н - 25 Ом ( гэ можно вычислить по формуле [1] гя 25 / / э Ом, где. [42]

Частотные свойства плоскостных транзисторов характеризуются предельной частотой усиления по току / а и максимальной частотой генерирования / ген. [43]

Схемы, поясняющие работу плоскостного. [44]

На работу плоскостного транзистора в области высоких частот оказывают неблагоприятное влияние следующие основные факторы: емкость коллекторного перехода, фазовый сдвиг и разные скорости диффузионного движения носителей заряда. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5