Плоскостной транзистор
Cтраница 4
 |
Характеристики мощного транзистора 2N83 при температуре 25 С для схемы с общим эмиттером. [46] |
Коэффициент шума плоскостных транзисторов значительно ниже, чем точечно-контактных. [47]
 |
Транзистор типа NPN. [48] |
Вторым видом плоскостных транзисторов, которые нашли широкое применение, являются транзисторы типа NPN. Их принцип действия во многом напоминает транзисторы типа PNP, описанные ранее. В этих транзисторах поведение дырок и электронов обратно описанному для транзисторов типа PNP, так как здесь не дырки, а электроны являются неосновными носителями зарядов в районе базы. [49]
Теория действия плоскостного транзистора довольно проста. Чтобы понять ее, необходимо усвоить лишь самые общие представления о полупроводниках. Можно было бы, конечно, маписать весьма ученый трактат для описания на сложном математическом языке теорию такого транзистора, но это не только не нужно для удовлетворительного понимания принципов работы прибора, но и усложнило бы все дело для читателя, который, прежде чем приступить к более углубленному изучению предмета, должен получить ясное представление об его основах. [50]
Выходные характеристики точечных и плоскостных транзисторов сходны, однако входные характеристики могут существенно отличаться. [51]
Однако, когда плоскостной транзистор работает по схеме с общим эмиттером, отношение изменения тока эмиттера или коллектора к изменению тока базы обычно бывает в пределах от 20 до 100, что дает большое усиление по току. Так как сопротивление цепи коллектора много больше сопротивления цепи эмиттера, то схема с общей базой дает большое усиление но мощности, несмотря на то, что коэффициент усиления по току меньше единицы. [52]
Так кя К плоскостные транзисторы имеют малое входное сопротивление и большое выходное, то / г-параметры измеряются сравнительно просто. Наиболее распространены два метода измерения: метод вольтметра-амперметра и мостовой метод. [53]
Лавинный триод представляет собой плоскостной транзистор, предназначенный для работы в импульсных устройствах. [54]
 |
Конструкция р-п-р-пло - скосгного кристаллического триода, изготовленного методов вплавления. [55] |
Второй метод производства плоскостных транзисторов предусматривает вплавление примесных элементов на противоположные стороны тонкой пластинки монокристалла германия. [56]
Сопротивление базы у плоскостных транзисторов может достигать 100 - 200 Ом. По мере увеличения заряда в базе растет число свободных носителей и поэтому сопротивление базы уменьшается. [57]
Ск - У плоскостных транзисторов она бывает от единиц до десятков пико-фарад и более. Она возрастает с увеличением площади перехода и, следовательно, имеет большее значение у более мощных транзисторов. Первые плоскостные транзисторы были предназначены для частот не выше нескольких мегагерц. Однако в настоящее время промышленность выпускает много новых типов плоскостных транзисторов, работающих на частотах до десятков мегагерц и выше. [58]
Выходное сопротивление у плоскостных транзисторов имеет величину до сотен килоом и даже нескольких мегом. Величина г22 зависит от наклона выходных характеристик. [59]
К основным параметрам плоскостных транзисторов относятся: коэффициент усиления по току, коэффициент усиления по мощности, сопротивление коллектора, сопротивление эмиттера, сопротивление базы, коэффициент шума, обратный ток коллектора, емкость коллектора. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5