Бескорпусной транзистор
Cтраница 1
 |
Бескорпусный биполярный транзистор. [1] |
Бескорпусные транзисторы пленочных ИМС по своей структуре полностью аналогичны структурам биполяр-н ых или полевых транзисторов полупроводниковых ИМС. Все выводы, как и в микросхеме, выполнены на лицевой стороне кристалла. [2]
Бескорпусные транзисторы широко применяют в герметизированных гибридных пленочных микросхемах. Изготовляют пленарные транзисторы н в пластмассовых корпусах. [3]
Бескорпусные транзисторы для ГИС обычно выпускаются на базе транзисторных структур, изготовляемых для корпусированных вариантов приборов. По предельной мощности рассеяния и максимальному значению коллекторного тока бескорпусный вариант уступает корпусированному прибору в среднем в 10 раз. [4]
Бескорпусные транзисторы выпускаются как одиночные приборы и в виде сборок, изготовленных в одном кристалле. Сборки могут содержать два, четыре, шесть и более взаимно изолированных или определенным образом соединенных транзисторов. [5]
Кристалл бескорпусного транзистора имеет небольшие размеры ( например, 0 6 X 0 6 мм), поэтому после изготовления прибор помещается в специальную пластмассовую оболочку, имеющую массивные внешние выводы. [6]
 |
Внешний вид серии К224.| Принципиальная схема ГИМ К2УС242. [7] |
Электрические параметры бескорпусных транзисторов близки к параметрам-соответствующих обычных ( при меньших размерах и массе), однако за счет малых размеров бескорпусные транзисторы работают в тяжелых тепловых условиях и очень критичны к изменениям температуры. [8]
По конструктивному оформлению различают корпусные и бескорпусные транзисторы, последние применяются в гибридных интегральных схемах и микросборках и могут иметь гибкие или жесткие выводы. [9]
Биполярные транзисторы микросхем подразделяются на бескорпусные транзисторы ( компоненты) гибридных микросхем и интегрированные в общей подложке транзисторы полупроводниковых микросхем. Полупроводниковые структуры бескорпусных транзисторов аналогичны структурам транзисторов того же назначения, заключенным в корпус. Структуры транзисторов полупроводниковых микросхем имеют существенные отличия. Они рассмотрены в данной главе. [10]
В бескорпусных пленочных микросхемах применяют малогабаритные бескорпусные транзисторы и микрорезисторы в стеклянной изоляции. [11]
Все большее распространение получают так называемые бескорпусные транзисторы, предназначенные для использования в микросхемах и микросборках. Кристаллы таких транзисторов защищены специальным покрытием, но оно не дает дополнительной защиты от воздействия окружающей среды. Защита достигается общей герметизацией всей микросхемы. [12]
 |
Внешний вид серии К224.| Принципиальная схема ГИМ К2УС242. [13] |
В качестве навесных активных элементов используются бескорпусные транзисторы, у которых кристаллы полупроводника защищены от воздействия внешних факторов за счет методов пассивации их поверхности и герметизации с помощью специальных защитных покрытий. [14]
В гибридно-пленочных микросхемах активными элементами являются навесные бескорпусные транзисторы или целые бескорпусные полупроводниковые микросхемы. Трудоемкость их монтажа довольно высока, поэтому число таких элементов стремятся ограничить. [15]
Страницы: 1 2 3 4