Бескорпусной транзистор

Cтраница 4

В последнее время в планарной технологии начинают применять пленки нитрида кремния ( Si3N4), однако применение этих пленок связано с рядом серьезных технологических трудностей. Покрытия, использующие Si3N4, являются более устойчивыми к воздействию окружающей среды и поэтому очень перспективны для изготовления так называемых бескорпусных транзисторов и транзисторов, запрессованных в пластмассу. [46]

Компонентом ИС называют часть ИС, реализующую функции какого-либо электрорадиоэлемента, которая может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации. В качестве компонентов ИС ( их называют также навесными электрорадиоэлементами) в отличие от элементов ИС, являющихся встроенными) используют бескорпусные транзисторы, диоды, сборки, микросхемы, миниатюрные резисторы и конденсаторы. [47]

Гибридная интегральная микросхема - МС, содержащая кроме элементов компоненты и ( или) кристаллы. Элементами гибридной МС обычно являются резисторы и конденсаторы постоянной емкости с относительно малыми емкостями ( иногда катушки с малыми индуктивностями), образуемые электропроводящими и диэлектрическими пленками, нанесенными на поверхность подложки, а компонентами - бескорпусные транзисторы, диоды и конденсаторы относительно больших емкостей. Выводы компонентов электрически соединены с элементами и межэлементными проводниками с применением специальных технологических приемов - ультразвуковой сварки, термокомпрессии. [48]

Транзисторы для гибридных микросхем изготавливают отдельно, в целях экономии объема в бескорпусном оформлении, иногда в виде сборки. Их параметры имеют примерно те же численные значения, что и у дискретных аналогов. Бескорпусные транзисторы защищают от воздействий внешней среды специальным влагостойким покрытием. [49]

Транзисторы, контакты и пленочную микросхему размещают на жестком основании из керамики или пластмассы. От влияния внешней среды микросхему предохраняют металлическим кожухом, который после окончательной сборки герметизируют компаундом. Бескорпусные транзисторы подсоединяют к пленочной схеме пайкой, термокомпрессионным методом или сваркой ультразвуком. [50]

Типовая структурная схема высоковольтного блока питания. [51]

Гибридные интегральные стабилизаторы выполняются с применением бескорпусных интегральных микросхем и полупроводниковых приборов, размещенных на диэлектрической подложке, на которую методами тонкопленочной или толстопленочной технологии нанесены резисторы и соединительные проводники. На подложке размещаются также необходимые дискретные элементы - бескорпусные конденсаторы, переменные резисторы и др. ГИСН выполняются в виде законченных устройств на фиксированные уровни выходных напряжений, например 5; 6; 9; 12; 15 В. С использованием мощных бескорпусных транзисторов и маломощных схем управления, выполненных по гибридно-пленочной технологии, изготовляются стабилизаторы, рассчитанные на большие токи, например, до 5 А. [52]

ГП ИС получают групповым методом до 18 - 20 плат на одной подложке. Общий вид одной из таких плат показан на рис. 5.1 а. При ее изготовлении используется последовательно несколько операций: вначале через трафарет наносятся резисторные полоски R1 - R4, затем после смены трафарета напыляются контактные площадки 1 - 5 и нижняя обкладка конденсатора С и т.п. Последние операции включают приклеивание к подложке бескорпусного транзистора V и соединение его выводов с контактными площадками. Готовая плата помещается в корпус и герметизируется. [53]

Далее в пленке окисла методом фотолитографии вновь создают окна несколько меньшего размера и в атмосфере пятиокнси фосфора производят диффузию донорной примеси. Остается вскрыть окна для алюминиевых электродов базы и эмиттера, нанести эти электроды ( рис. 4.7, д) - и транзисторные структуры готовы. После резки пластинки на отдельные элементы, содержащие по одной транзисторной структуре, каждый элемент, называемый кристаллом, впаивают коллектором на дно ножки стандартного корпуса, эмиттерный и базовый контакты присоединяют тонкими проводниками к соответствующим траверсам ножки. Выпускаются также бескорпусные транзисторы, у которых климатическая защита осуществляется с помощью тонкой пленки силикатного стекла. Пленарные транзисторы имеют переменную концентрацию примесей в базе, уменьшающуюся в сторону коллектора, что снижает, как указывалось, сопротивление базы и емкость коллектора. Градиент примеси имеется и в эмиттере, что уменьшает его емкость и распределенное сопротивление эмиттера, а также повышает пробивное напряжение эмиттерного перехода. [54]

Однако преимущества пленарного транзистора не ограничиваются быстродействием. Например, границы его электронно-дырочных переходов оказываются под слоем окисла. Так как окись кремния является диэлектриком с очень высокими характеристиками, она может служить защитой поверхности полупроводника от внешних воздействий. Такая защита усиливается при покрытии окисла тонким слоем легкоплавкого стекла. Бескорпусные транзисторы широко применяют в герметизированных гибридных микросхемах. Изготовляют пленарные транзисторы и в пластмассовых корпусах. [55]

Плата гибридной микросхемы. [56]

ТППГТППЛРНОЧНОЙ микросхемы имеет размеры 16ХЮХ1 или 10x10x1 мм и выполняется из высо-квглиноземистой керамики, имеющей хорошую адгезию к наносимым материалам. Элементами толстопленочной микросхемы являются резисторы и конденсаторы, их выполняют так же, как и межсоединения, путем нанесения на поверхность подложки через сетчатый трафарет специальных проводящих, резистивных и диэлектрических дает, подвергаемых после нанесения термической обработке. Конденсаторы имеют емкость от 60 до 350 пФ, добротность до 50, пробивное напряжение дЬ J50 В. Бескорпусные транзисторы и диоды монтируют в толстопленочных гибридных микросхемах обычным способом. [57]

Аналоговые ИС выпускают сериями, которые имеют различное назначение. Так, например, ГИС серии К224 предназначены для радиоприемной аппаратуры широкого применения. Схемы этой серии изготовлены по толстопленочной технологии. Навесными элементами являются бескорпусные транзисторы и стеклокерамические конденсаторы. [58]

Страницы: 1 2 3 4