Бескорпусной транзистор

Cтраница 2

Семейства входных статических характеристик транзистора, включенного по схеме ОБ ( а и ОЭ ( б. [16]

Для применения в аппаратуре микроминиатюрного исполнения выпускаются бескорпусные транзисторы, представляющие собой полупроводниковую структуру с гибкими выводами. [17]

Фототранзистор. а - структура. б - обозначеаие. [18]

В качестве термотранзисторов используют серийные транзисторы, а также специальные конструкции, выполняемые на базе бескорпусных транзисторов. [19]

Схема генератора. а - обычное исполнение. б - микросхемное исполнение. [20]

В качестве компонентов интегральных микросхем можно также назвать навесные ( в отличие от встроенных) электроэлементы, например бескорпусные транзисторы, диоды, миниатюрные резисторы и конденсаторы. [21]

Корпусная микросхема представляет собой герметичную конструкцию в виде прямоугольного параллелепипеда, в состав которой входят тонкопленочная схема, малогабаритные бескорпусные транзисторы, каркас, герметизирующий состав и плоские выводы. Пленочную микросхему выполняют на подложке из стекла или ситалла. [22]

Интегральная технология дает возможность снизить стоимость регулятора за счет автоматизации процесса изготовления его важнейших узлов благодаря меньшей стоимости бескорпусных транзисторов ( примерно в 2 5 раза) и возможности герметизации всего регулятора в целом, а не каждого элемента в отдельности. Габариты регулятора при этом уменьшаются, что позволяет встроить его в генератор; повышается надежность установки, так как соединения между генератором и регулятором выполнены внутри генератора, что исключает целый ряд наиболее типичных в эксплуатации аварийных режимов. [23]

Внешний вид серии К224.| Принципиальная схема ГИМ К2УС242. [24]

Электрические параметры бескорпусных транзисторов близки к параметрам-соответствующих обычных ( при меньших размерах и массе), однако за счет малых размеров бескорпусные транзисторы работают в тяжелых тепловых условиях и очень критичны к изменениям температуры. [25]

Принципиальная электрическая схема ( а и технологические этапы изготовления ГИС ( б двухкаскадного УЗЧ. [26]

Для переносных и автомобильных радиоприемников /, / / и / / / классов выпускают ГИС по тонкопленочной технологии с применением бескорпусных транзисторов. [27]

Включение интегральной микросхемы К2ЖА243 в цепь АРУ. [28]

Широко распространены гибридные микросхемы, которые состоят из основания с пленкой, несущей пассивные элементы схемы ( резисторы и конденсаторы) и покрытой защитным слоем, и навесные активные элементы - дискретные бескорпусные транзисторы, а также индуктивности. Бескорпусные навесные микротранзисторы более совершенны, чем транзисторы, нанесенные на основание. Они изготовляются с частотным диапазоном до сотен мегагерц и мощностью до десятков милливатт. [29]

Компонент интегральной микросхемы - часть МС, выполняющая функцию какого-либо электрорадиоэлемента, представляющая собой в начальной стадии производства МС самостоятельное изделие и устанавливаемое в МС в процессе дальнейшего ее изготовления Одним из наиболее ргспро-страненных компонентов являются бескорпусные транзисторы, применяемь е в гибридных МС. [30]

Страницы: 1 2 3 4