Бескорпусной транзистор

Cтраница 3

Эквивалентна. схема четырехполюсника с использованием у-оараметров. [31]

С целью уменьшения габаритов, упрощения конструкции и удешевления транзисторов были разработаны и нашли широкое применение транзисторы с бескорпусной герметизацией и в пластмассовых корпусах. В бескорпусных транзисторах кристалл полупроводника с контактными площадками в местах присоединения проволочки внешних выводов покрывается несколькими защитными слоями, В качестве защитных слоев от влияния внешней среды и механических повреждении применяются различные лаки и эпоксидные смолы. [32]

По эпитаксиально-планарной технологии можно изготовлять не только корпусные транзисторы, но и бескорпусные. Для защиты бескорпусных транзисторов от внешней среды их покрывают эпоксидной смолой, органическими лаками или тонкой пленкой стекла. [33]

Биполярные транзисторы микросхем подразделяются на бескорпусные транзисторы ( компоненты) гибридных микросхем и интегрированные в общей подложке транзисторы полупроводниковых микросхем. Полупроводниковые структуры бескорпусных транзисторов аналогичны структурам транзисторов того же назначения, заключенным в корпус. Структуры транзисторов полупроводниковых микросхем имеют существенные отличия. Они рассмотрены в данной главе. [34]

Активные элементы в гибридных интегральных микросхемах изготовляют в бескорпусном исполнении и монтируют на подложке с напыленной стороны. Для этого в бескорпусных транзисторах предусматривают металлические шарики на контактных площадках базы, эмиттера и коллектора. Эти шарики совмещают с соответствующими контактными площадками подложки. При нагревании и давлении они присоединяются к этим площадкам. Совмещение шариковых выводов и подложки осложняется тем, что выводы кристалла обращены вниз. Для совмещения применяют полупрозрачную призму, на которую помещают кристалл. При наблюдении в микроскоп видны одновременно контактные площадки подложки и выводы кристалла. [35]

На поверхности подложки из изолирующего материала размещены пассивные элементы микросхемы - резисторы, конденсаторы, а также соединительные проводники. Активные элементы в виде бескорпусных транзисторов, диодов, матриц диодов или бескорпусных полупроводниковых микросхем крепят на поверхности подложки ( иногда приклеивают к корпусу) и присоединяют их выводы к соответствующим контактным площадкам на поверхности подложки ( рис. В. [36]

Структура и условные обозначения полевых транзисторов. [37]

После этого пластина разрезается на отдельные транзисторы, которые помещаются в отдельные корпуса с внешними выводами. При создании гибридных микросхем используются бескорпусные транзисторы. [38]

Корпусными транзисторами не исчерпывается все многообразие выпускаемых типов транзисторов. Все большее распространение получают так называемые бескорпусные транзисторы, предназначенные для использования в микросхемах и микросборках. Если кристаллы таких транзисторов и защищены специальным покрытием, то оно не обеспечивает дополнительной защиты от воздействия окружающей среды. Защита достигается общей герметизацией всей микросхемы. [39]

Конструктивное исполнение пленочных микросхем позволяет осуществить мощные ( до 100 Вт) электрические схемы, работающие при больших значениях напряжения. Активные элементы пленочных микросхем выполняются в виде дискретных бескорпусных транзисторов, диодов, матриц диодов или бескорпусных микросхем. [40]

Отечественная промышленность выпускает большую номенклатуру ГИС. Номенклатура схем на основе толстопленочной технологии с применением бескорпусных транзисторов охватывает все каскады радиоприемных устройств, цветных и черно-белых телевизоров. Относительная простота технологического процесса позволяет при необходимости расширять данную номенклатуру и изменять технологию изготовления аппаратуры в зависимости от конкретных технологических решений. [41]

В гибридной ИС ( рис. 3.1 б) только часть пассивных элементов и межсоединения выполняются в виде пленок, нанесенных на диэлектрическую подложку. Активные элементы выполнены отдельно ( например, корпусные или бескорпусные транзисторы), они располагаются на диэлектрической подложке и соединяются с остальной частью схемы. [42]

К недостаткам схемы рис. 6.8 следует отнести необходимость в дополняющих транзисторах и ускоряющих конденсаторах Cj и С2, что представляет известные трудности при изготовлении полупроводниковых ИМС. Поэтому для реализации этой схемы используют гибридную конструкцию, содержащую дискретные бескорпусные транзисторы и тонкопленочные пассивные элементы. [43]

Конструкция модуля трехзвенного фазовращателя.| Топология функционального узла однокаскадного транзисторного усилителя. [44]

На рис. 7.32 показана конструкция одного из возможных вариантов модуля фазовращателя на переключаемых отрезках линий. На рис. 7.33 приведена топология микросборки однокаскадного транзисторного усилителя, выполненного на основе МПЛ, бескорпусного транзистора и конденсатора, припаиваемых непосредственно к МПЛ. [45]

Страницы: 1 2 3 4