Сплавной транзистор
Cтраница 2
 |
Сравнение инерционных. [16] |
Кремниевый сплавной транзистора типа П103 ( / э - Ю-9 а, Сэо 200 пф, Ско 600 пф, т 0 17 - 10 - сек) характеризуется значениями Ul6 258 мв и U K6 286 мв. [17]
Сплавными транзисторами называются транзисторы, р-п переходы в которых изготавливаются методом вплавления легирующей примеси в полупроводниковый материал. Перед вплавлением пластинку германия или кремния тщательно шлифуют, травят до необходимой толщины и сортируют по толщине с очень большой точностью. Обычно вплавление производится двумя способами: кассетным и бескассетным. [18]
Рассмотренные ранее сплавные транзисторы считаются наиболее массовыми приборами широкого применения в диапазоне частот до нескольких сотен килогерц и допустимых напряжений в десятки и сотни вольт. Максимальная мощность любого транзистора в основном определяется предельной рабочей температурой коллекторного перехода. [19]
Недостатком сплавных транзисторов является большой разброс и нестабильность параметров во времени. [20]
Основанием сплавного транзистора ( рис. 12 - 1, а) служит пластина и-германия, которую называет базой. По границам вплавления образуются электронно-дырочные переходы: эмиттерный и коллекторный. К базе, эмиттеру и коллектору припаяны выводы. Таким образом, транзистор в простейшем случае представляет собой трехслойную структуру, в которой крайние области образованы полупроводниками с проводимостью, отличной по виду от проводимости средней области. Эти области отделены друг от друга электронно-дырочными переходами. [21]
Устройство сплавного транзистора показано на рис. 4.8, а. [22]
 |
Схемы включения транзистора. [23] |
База сплавного транзистора отличается от базы идеализирован структуры ( см. рис. 4 - 1) наличием трех участков, которые называг активной, промежуточной ( или коллекторной) и пассивной областям, базы. Наконец, пассивной облаеп базы является ее объем, расположенный вне коллектора. [24]
Основанием сплавного транзистора ( рис. 12 - 1, а) служит пластина и-германия, которую называет базой. По границам вплавления образуются электронно-дырочные переходы: эмиттерный и коллекторный. К базе, эмиттеру и коллектору припаяны выводы. Таким образом, транзистор в простейшем случае представляет собой трехслойную структуру, в которой крайние области образованы полупроводниками с проводимостью, отличной по виду от проводимости средней области. Эти области отделены друг от друга электронно-дырочными переходами. [25]
База сплавного транзистора отличается от базы идеализированной структуры ( см рис. 4 - 1) наличием трех участков, которые называют активной, промежуточной ( или коллекторной) и пассивной областями базы. Активной областью базы является цилиндрический объем с высотой w и площадью, равной поверхности эмиттера S. Промежуточной областью базы является кольцевой объем с площадью основания SK - 5Э и высотой, равной расстоянию от коллектора до противоположной поверхности базовой пластинки. Наконец, пассивной областью базы является ее объем, расположенный вне коллектора. [26]
У несимметричного сплавного транзистора, характеристики которого изображены на рис. 8.6, при включении в схему с общей базой ошибочно поменяли местами выводы коллектора и эмиттера. Поясните, как при этом изменятся токи коллектора, эмиттера, базы, обратный ток коллекторного перехода и коэффициент передачи эмиттерного тока, и начертите примерный вид входных и выходных характеристик. [27]
 |
Конструкция мощного сплавного транзистора в корпусе с герметизацией горячей сваркой ( а и с холодной сваркой ( б. [28] |
В сплавном транзисторе р - п-тшреходы получают методом сплавления. Например, для получения р - я - / - транзистора в германиевую пластину, обладающую проводимостью л-типа, вплавляют с противоположных сторон индиевые электроды. [29]
 |
Практическая схема формирователя. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5