Сплавной транзистор

Cтраница 4

В обычных сплавных транзисторах С1е, как правило, пренебрежимо мала, однако в транзисторах с диффузионной базой Cte может стать значительной вследствие малой величины проводимости базы в области, близкой к эмиттеру. [46]

В сплавных транзисторах база не может быть сделана очень тонкой ( w 20 мкм) и коэффициент а определяется в основном коэффициентом ап. [47]

Так как сплавные транзисторы характеризуются, как правило, большими значениями емкости коллекторного перехода Ско по сравнению с емкостью эмиттерного перехода Сэо, то для нормального включения транзистора / ср оказывается больше, чем для инверсного как при однополярном, так и при двухполярном управлениях. В качестве примера на рис. 2 - 33 показаны кривые переходного процесса при запирании сплавного транзистора в случае однополярного управления. Как уже отмечалось, величина источника / ср определяется площадью, ограниченной кривой переходного процесса, которая на приведенном рисунке при нормальном включении оказывается больше, чем при инверсном. [48]

Симметричный полувибритор с емкостными нагрузками. [49]

При использовании сплавных транзисторов, у которых эти коэффициенты приблизительно равны, диод Д можно исключить. [50]

В случае сплавных транзисторов компенсирующие накладки соединяются с кристаллом в процессе создания электронно-дырочных переходов: при сплавлении непосредственно у кристалла располагаются заготовки из электродного материала, а за ними помещаются накладки. Во время нагрева одновременно происходит сплавление электродных материалов с полупроводником и приплавление компенсирующих накладок к электродам. После сплавления вся сборка напаивается на основание корпуса. [51]

При изготовлении сплавных транзисторов температура процесса выбирается исходя из того, чтобы обеспечить хорошее смачивание и сохранить в полупроводнике достаточно большое время жизни неосновных носителей заряда. При создании сплавно-диффузионных транзисторов не требуется обеспечивать сохранение такого времени жизни в полупроводнике, какое требуется для сплавных транзисторов ( так как толщина базы в этих приборах очень мала), а надо температуру сплавления-диффузии выбирать высокой, для того чтобы достаточно быстро произошло образование переходов на требуемом расстоянии от фронта вплавления. [52]

В случае сплавного транзистора, когда толщина базы W LQ, инжекция электронов в области р невелика; падение напряжения в области нарушенного равновесия от протекания рекомбинационного тока в направлении, перпендикулярном плоскости перехода, можно не учитывать. Это не означает, что мы пренебрегаем током рекомбинации и инжекции электронов. Мы пренебрегаем лишь падением напряжения от протекания этих токов в направлении, перпендикулярном плоскости перехода. [53]

В случае бездрейфовых сплавных транзисторов обычно можно считать короткими импульсы с длительностью менее 10 мксек, а в случае дрейфовых - с длительностью менее 1 мксек. [54]

В случае бездрейфовых сплавных транзисторов обычно можно считать короткими импульсы с длительностью менее 10 икс, а в случае дрейфовых - с длительностью менее 1 мкс. [55]

Конструкция структуры сплавного транзистора.| Конструкция структуры транзистора, изготовленного методом диффузии. [56]

Первыми были созданы сплавные транзисторы. [57]

Конструкция сплавного транзистора.| Конструкция поверхностно-барьерного транзистора.| Конструкция диффузионно-сплавного транзистора. [58]

Максимальные рабочие частоты сплавных транзисторов имеют тот же порядок, что и выращенных. [59]

Какие способы герметизации сплавных транзисторов Вам известны. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5