Сплавной транзистор

Cтраница 3

В сплавных транзисторах коллектор является низкоомной областью и накопление в нем практически отсутствует. [31]

Принцип устройства дрейфового транзистора.| Принцип устройства сплавного транзистора. [32]

В сплавных транзисторах невозможно сделать очень тонкую базу, и поэтому они предназначены только для низких и средних частот. При создании методом вплавления более тонкой базы ее толщина получается неодинаковой в разных местах и во избежание эффекта смыкания переходов приходится уменьшать напряжение коллекторного перехода, что снижает предельную мощность транзистора. [33]

Три схемы включения р-п - р транзистора. [34]

В сплавном транзисторе концентрация примесей в коллекторе примерно такая же, как и в эмиттере. [35]

В сплавных транзисторах эмиттерная и коллекторная области легированы достаточно сильно, а в базовой области электрическое поле в направлении от эмиттера к коллектору практически отсутствует, поэтому падение напряжения на всех участках, кроме р-п переходов, достаточно мало. [36]

В сплавных транзисторах первым металлическим слоем, следующим за рекристаллизованной областью, представляющей собой тело коллектора, является сам электродный материал, использованный для сплавления. В качестве основы такого материала, как известно, могут быть использованы индий, олово, свинец и золото в германиевых приборах, а в кремниевых транзисторах - олово, алюминий и золото. Хотя некоторые из этих материалов ( например, алюминий и золото) хорошо проводят тепло, в транзисторной структуре после сплавления металлические электроды будут представлять собой не чистые металлы, а сплавы, так как при охлаждении в них обязательно останется какое-то количество германия или кремния. Сплавы вообще отличаются меньшей теплопроводностью, чем чистые металлы, поэтому можно считать, что электрод, примыкающий к рекристаллизованному слою коллектора, будет иметь сравнительно плохую теплопроводность. В связи с этим желательно сделать его толщину по возможности малой. [37]

В сплавных транзисторах механические напряжения могут возникнуть в процессе охлаждения после вплав-ления в кристалл полупроводника электродных заготовок. При охлаждении до температуры плавления электродных материалов ( или до эвтектической температуры) в системе полупроводник - электрод не возникают механические напряжения, так как все это время электродные капли находятся в жидком состоянии. После того как они затвердевают, в системе начинают накапливаться механические напряжения из-за различия коэффициентов расширения у обоих связанных вместе веществ. [38]

Три схемы включения р-п - р транзистора. [39]

В сплавном транзисторе концентрация примесей в коллекторе примерно такая же, как и в эмиттере. [40]

В сплавных транзисторах база не может быть сделана очень тонкой ( w 20 мкм) и коэффициент а определяется в основном коэффициентом ап. [41]

Конструкция транзистора с кольцевым коллекторным электродом. [42]

В кремниевых сплавных транзисторах использовать диффузию для создания сильнолегированных слоев в базе со стороны эмиттера нельзя, так как при термообпа-ботке, необходимой для проведения диффузии, слишком сильно упадет время жизни неосновных носителей в кремнии. Однако в мощных кремниевых сплаиных п-р - п транзисторах входное сопротивление можно сделать достаточно малым, так что оно не скажет очень значительного влияния на сопротивление насыщения. [43]

В сплавных транзисторах NK NB, и поэтому значение у /, как и у, близко к единице. [44]

В сплавных транзисторах SK / 5э 1 5 - 4 - - i - З и х / 0 34 - 0 8, а в пленарных отношение 5к / 5э может доходить до 10 - 20 и, поэтому коэффициент и / мал. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5