Cтраница 5
Следовательно, в сплавных транзисторах падение напряжения между эмиттером и коллектором должно в основном определяться суммой напряжений на эмнт-терном и коллекторном переходах. В сильно открытом транзисторе ( при большой степени насыщения) коллекторный переход смещен не в обратном, а в прямом направлении. Поэтому можно сказать для этого случая, что падение напряжения между коллектором и эмиттером определяется разностью напряжений на эмиттерном и коллекторном переходах. [61]
Однако даже в сплавных транзисторах могут возникнуть переходные процессы, не отражаемые моделью Молла. [62]
Поэтому обычно на сплавных транзисторах не удается повысить предельную частоту va выше 1 - 2 Мгц. [63]