Основной транзистор

Cтраница 1

Пока основной транзистор работает в активной области семейства выходных характеристик ( или в области отсечки), его коллекторный переход смещен в обратном направлении, а паразитный транзистор выключен. [1]

Как только основной транзистор входит в насыщение, его коллекторный переход оказывается смещенным в прямом направлении. При легировании золотом Впар снижается до 0 01 и влияние паразитного транзистора по существу устраняется. Образование паразитных транзисторных структур возможно и в других интегральных элементах и должно учитываться при разработке интегральных схем. [2]

Для переключения основных транзисторов и в первом и во втором случае ток синхроимпульса / си должен превышать ток базы открытого транзистора. [3]

Расчет массы основных транзисторов и конденсаторов имеет некоторую особенность, вызванную дискретностью их номинальных ( допустимых) параметров. [4]

Способ управления основными транзисторами определяет также работу основной части преобразователя при перегрузках и коротких замыканиях. Этот вопрос рассмотрен в гл. [5]

Сигнал управления основным транзистором в общем случае многокаскадных схем формируется в каскаде задающего генератора или одного из промежуточных усилителей. [6]

Схемы генераторов стабильного тока. [7]

Так как основными транзисторами современных микросхем являются транзисторы п-р - п типа, то в микросхемах чаще всего находят применение не источники тока, а токоотводы, поскольку их параметры в силу лучших показателей п-р - п транзисторов значительно превосходят параметры источников тока. В связи с этим рассматриваются только схемы токоотводов. Теоретический анализ токоотводов может быть полностью перенесен и на источники тока, но с учетом полярности транзисторов и источников питания. [8]

Диод VD2 служит для улучшения запирания основного транзистора при открытом транзисторе VT1 благодаря дополнительному падению напряжения на этом диоде. [9]

Диаграммы изменения токов и напряжений в процессе переключения основного транзистора схемы по рис. 5 - 1, а показана на рис. 9 - 8, а. [10]

Несимметричный полумостовой преобразователь с емкостным фильтром. [11]

Процессы переключения в обеих схемах следует оценивать по переходу основного транзистора ( TV) из запертого состояния в открытое, поскольку отпирание другого транзистора, как правило, происходит с ПНН. Два фактора свидетельствуют не в пользу преобразователя с активным клампом. [12]

При этом несколько уменьшается напряжение между коллектором и эмиттером основного транзистора Т2, но это не ухудшает характеристики схемы, а уровень логического нуля на выходе схемы понижается. Транзистор Т Г работает в активном режиме при нулевом и единичном сигналах на воде, т.е. база транзистора 77 постоянно связана с подложкой. [13]

Масса активной части транзисторного преобразователя складывается не только из массы основных транзисторов и диодов, но и из массы трансформаторов, дросселей и конденсаторов, неизбежно входящих в схему преобразователя, и из массы теплоотводящих радиаторов. [14]

Со вторичной обмотки этого насыщающегося трансформатора сигнал подается на вход основного транзистора непосредственно или через промежуточный усилитель. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5