Основной транзистор

Cтраница 2

Схемы с полузависимым возбуждением. [16]

Все схемы с полузависимым возбуждением имеют уменьшенные динамические потери в основных транзисторах, что показано в следующем параграфе, и обладают способностью работать при перегрузках, что рассмотрено в гл. [17]

В отличие от схемы по рис. 7 - 1, б основные транзисторы схемы по рис. 8 - 9 коммутируют дополнительно полную мощность нагрузки. [18]

Структурные схемы построения преобразователей и схемы измерительных органов напряжения. [19]

С / н ведет к прекращению работы блока ЗГ и закрытию основных транзисторов. [20]

Структура интегрального транзистора с охранным кольцом.| Структура интегрального транзистора с расширенным базовым контактом.| Структура интегрального тран-вистора с противоканальным кольцом.| Композитный транзистор. [21]

С этой целью вначале использовались паразитные транзисторы р-п - р, создаваемые структурой основного транзистора и подложкой. Однако у этих транзисторов р 2 - т - 3 в связи с наличием у них толстой базы, и, кроме того, при использовании нескольких транзисторов на одной подложке возникает ограничение по их применению, связанное с наличием общего коллектора-подложки. [22]

Диодно-транзисторные логические элементы ( ДТЛ. [23]

В схеме рис. 16.1 8 дополнительный транзистор Гд в цепи связи образует с основным транзистором инвертора составной транзистор, увеличивая тем самым нагрузочную способность элемента. [24]

Диодно-транзисторные логические элементы ( ДТЛ. [25]

В схеме рис. 16.1, в дополнительный транзистор Тл в цепи связи образует с основным транзистором инвертора составной транзистор, увеличивая тем самым нагрузочную способность элемента. [26]

Диодно-транзисторные логические элементы ( ДТЛ. [27]

В схеме рис. 16.1, в дополнительный транзистор Тя в цепи связи образует с основным транзистором инвертора составной транзистор, увеличивая тем самым нагрузочную способность элемента. [28]

На том же принципе основана схема, изображенная на рис. 5 - 24 6, но здесь основной транзистор Г2 включен последовательно с потребителем. При возникновении колебаний в цепи диода потенциал базы транзистора Га понижается и, следовательно, уменьшается выходное напряжение, а при прекращении колебаний увеличивается. [29]

Схемы защиты преобразователей от включения с обратной полярностью. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5